电子科大---毕设范文

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1、摘要摘要VDMOS是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的电源和为电机设备提供驱动。在辐照环境中使用的VDMOS器件的电学参数会在受到辐照后发生变化，影响到其在整体电路中的应用，因此对其辐照效应及抗辐照技术的研究具有重要的意义。本文研究了功率VDMOS器件的总剂量辐照理论，借助数值仿真软件深入分析了总剂量辐照对功率VDMOS器件性能的影响，以及VDMOS器件的总剂量辐照加固理论和方法，重点分析了薄栅氧化层技术，后栅氧化层技术。基于上述研究设计了一套薄栅氧化层技术结合后栅氧化层技术的功率VDMOS器件总剂量辐照加固的工艺流程，

2、并采用该流程制造出了一种总剂量辐照加固的功率VDMOS器件。关键词：功率VDMOS器件，总剂量辐射，后栅氧技术I摘要ABSTRACTVDMOSisanimportantcomponentofpowerelectronicsystems,whichprovidethenecessaryformsofpowersourceforelectronicdevicesandpower-driverelectricalequipment.InRadiationenvironment,theelectricalparametersofVDMOSdevi

3、cesusedinthewillbechangedafterirradiation,whichaffecttheoverallcircuit,SotheresearchoftheVDMOSradiationhardenedtechnologiesisveryimportant.ThetotaldoseradiationofpowerVDMOSdevicesareresearchedinthisthesis.AndIusenumericalsimulationsoftware-depthanalysisofthetotaldoseofirr

4、adiationontheperformanceofpowerVDMOSdevices,aswellasthetotaldoseofVDMOSdevicesreinforcementtheoryandmethodofirradiation,focusingonanalysisofthethingateoxidetechnology,afterthegateoxidetechnology.Basedontheaboveresearch,designasetofthingateoxidetechnologyafterthegateoxidet

5、echnologypowerVDMOSdevicetotaldoseirradiationofthestrengtheningprocessandtheprocessusedtocreateatotaldoseofirradiationpowerVDMOSdevicesreinforcement.Keywords:powerVDMOSdevices,atotaldoseofradiation,“lateandthingate”technologyI目录目录第1章引言11.1课题研究价值与意义11.2国内外研究现状11.3本文主要工作3第2

6、章VDMOS器件基本知识42.1VDMOS器件基本结构和优良性能42.1.1VDMOS基本结构42.1.2VDMOS器件的优良性能42.2VDMOS器件基本参数72.2.1直流漏源导通电阻Ron72.2.2漏源击穿电压BVDSS102.2.3阈值电压102.3辐射与辐射技术简介112.3.1辐照环境112.3.2辐射的主要机制132.3.3辐射的主要效应142.4本章小结17第3章总剂量辐照对VDMOS的影响183.1总剂量辐照对VDMOS的影响183.1.1总剂量辐照对阈值电压的影响183.1.2辐照对跨导Gm的影响263.1.3总剂量

7、辐照对击穿电压的影响273.2本章小结29第4章功率VDMOS器件的总剂量辐照加固理论和方法304.1MOS器件抗电离辐射加固的原则及主要方法304.1.1抗辐照加固方法304.1.2MOS器件抗电离辐射加固的原则314.2薄栅氧化层技术简介324.2.1减小阈值电压VT的漂移324.2.2减少跨导Gm的降低344.2.3减少击穿电压BV的降低354.3后栅氧化层总剂量辐照加固技术354.4本章小结37第5章总剂量辐照加固工艺流程和器件设计395.1工艺流程设计3957目录5.2关键工艺405.3总剂量辐照加固的功率VDMOS器件设计41

8、5.3.1常规电学参数仿真设计415.3.2抗辐照参数仿真设计465.4本章小结47第6章结束语48参考文献49致谢50外文资料原文51外文资料译文5557第1章引言第1章引言1.1课题研究价