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时间:2018-09-15
《GaN_ZnO_石墨烯的光电气敏耦合机理研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、密级无.分类号TB383XI’ANTECHNOLOGICALUNIVERSITY硕士学位论文题目:GaN/ZnO/石墨烯的光电气敏耦合机理研究作者:刘宗媛指导教师:于灵敏教授材料加工工程申请学位学科:2018年3月9日GaN/ZnO/石墨烯的光电气敏耦合机理研究学科:材料加工工程研究生签字:今舍^|t^指导教师签字—:f摘要构建具有异质结构的光电气敏传感器是光电探测和气敏检测领域的研究热点,它通过异质结调控载流子传输,利用光辐照产生的光电子参与二氧化氮的吸附反应,实现对no
2、2气体灵敏、快速的检测。因此,本论文提出构建GaN薄膜/ZnO纳米墙/石墨烯这种新型三明治型异质结构气敏材料,利用不同波长的光辐照该材料,进而降低高温对材料的吸附和去吸附作用的影响*,以实现室温高灵敏度N〇21体探测,主要工作如下1通的物理热蒸发法,以Ga203和GaN的混合粉末为蒸发源,以NHdj反应气()采用普发源3一体在115(TC下的衬底上。,,距离蒸cm处,制备了疏松的维GaN纳米管该方法制备工艺简单,成本低廉,克服了有机金属CVD(MOCVD)和分子束外延(MBE
3、)等设备昂贵,制备条件苛刻等难题^(2)以课题组熟练掌握的ZnO纳米墙/多孔石墨烯异质结材料为衬底,利用上述物理热蒸发TGaN/n。.艺,制备纳米线ZO纳米墙/石墨烯三明治型异质结构研究了不同工艺参数-对其形貌、。结果表明结构的影响,以AgPd电极为衬底,反应温度为115〇r,距离蒸发源3cm时,球可获得GaN纳米线/ZnO纳米墙/石墨烯_三明治型异质结构,但是高温导致ZnO纳化聚集甚至坍塌,电极的结构完整性遭到破坏。另外,GaN纳米线端部的球形米墙发生da。P粒,证GN
4、生VLS,以&石,不能GaN小颗明长机制模型但是或蓝宝为衬底就获得纳,米:线而是软的GaN纳?松米管结构a,3以优化的GN/ZnO纳米墙/多孔石墨烯异质结构为气敏材料,测试在室温F光照()100%,照36nm时品对照0反最,功率为光波长为5样光以及对N2的应灵敏度高分别达到1--6.02和42.449,应恢复时间分别为35s8s33s7s=■ZnO/石墨响和与纳米墙多孔烯异质结相?气敏匕GaN/ZnO纳米墙/多孔石墨烯异质结对光敏以及对N02的光敏耦合性能都有所提GaN/Zn
5、O/石墨烯二者结合的异质结中GaN具有和ZnO相近的带隙及相同在纳米墙多孔—的晶体结构和小的晶格失配,且GaN的功函数高于ZnO,使得GaN表面e-增多,GaN与ZnO结合表面暴露于紫外光线照射时,所产生的电子-空穴对要远远大于紫外光线照射单纯ZnO所产生的电子-空穴对,因此在光照条件下注入的NO2气体会反应更快的进行。关键词:GaN;GaN/ZnO/石墨烯异质结;光电气敏耦合机理;NO2Photo-electricityassensitivitycoulinmechanismofG
6、aN/ZnO/gpgrahenegpDiniisciLineMaterialProcessinEneernp:gggStudentSinature:g/)u.SuervisorSinature:儿^pg丫JAbstractdhoelectricsensorsinthefieldofhotoandihttobuildthebeterostructuretoItsaotspoppreacionofNOandasd
7、etection.HihsensitivitandfastdetectionofNO2gasisusedbythet2ggyflm/nOeneratedunderl.hereforeanovelGaNthiniZhoihtirradiationT,toelectronsgpg-ordertoachievehihnanowall/rahenesandwichteheterostructurewasconstructed.Inggp
8、mypsensitivittoNO2attherootemperature,itwasirradiatedwithdifferentwavelengthlightstoyreducetheinfluenceofhihtemperatureontheadsorptionanddesorption.Themainworkisasgfollows:w1Aoroushollowtubularstruc
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