提高习题 -场效应管放大电路

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1、场效应管放大电路1．图1所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT＝？如是耗尽型，说明它的夹断电压VP＝？（图中iD的假定正向为流进漏极。）iD/mAiD/mA4－1012vGS/V2－3－3－2－10vGS/ViD/mA－4－20vGS/V－2－4（a）（b）（c）图12．已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为K2P＝0.2mA/V，VP＝0.5V，iD＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少？3．设N沟道增强型MOSFE

2、T的参数为V2T＝1V，W＝100m，L＝5m，n＝650cm/V·s，C－92ox＝76.7×10F/cm。当VGS＝2VT，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电流ID。4．电路如图4所示，设Rg1＝90kΩ，Rg2＝60kΩ，Rd＝30kΩ，VDD＝5V，VT＝1V，Kn＝0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。VDDRdRg1diDgTBsRg2图45．电路如图5所示。已知Rd＝10kΩ，Rs＝R＝0.5kΩ，Rg1＝165kΩ，Rg2＝35kΩ，VT＝0.8V，K2n＝1m

3、A/V，场效应管的输出电阻rds＝∞（＝0），电路静态工作点处VGS＝1.5V。vAovsv试求电路的小信号电压增益A＝vo/vi和源电压增益s。（提示：先根据Kn、VGS和VTv求出gm，再求Av）VDDRdCb2＋voRg1diDCb1gT＋B＋Rss＋viRg2Rvs－－－VSS图56．电路如图6所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的V2T＝0.8V，Kn＝1mA/V，输出电阻rds＝∞。试求电路的小信号电压增益Av。VDDRdiDdvOTB

4、＋gvsIRg－CSI－VSS图67．电路如图7所示。设R＝0.75kΩ，Rg1＝Rg2＝240kΩ，Rs＝4kΩ。场效应管的gm＝11.3mA/V，rds＝50kΩ。试求源极跟随器的源电压增益AvS＝vo/vs、输入电阻Ri和和输出电阻Ro。VDDdRg1CbTBg＋RssvoviRR＋g2vs－－图7－18．电路如图8所示，设场效应管的参数为gm1＝0.8mA/V，1＝2＝0.01V。场效应管的静态工作电流ID＝0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。VDDiDd2T2B2g2s2vod1T1B1＋g1vis1

5、－VGG图89．已知电路参数如图9所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd。（1）画出电路的小信号等效电路；（2）求电压增益Av；（3）求放大器的输入电阻Ri。VDD20VRdRg110kΩC2300kΩ＋＋4.7FC1T＋0.02FRg32MΩR1vo2kΩviRg2100kΩR2＋C10kΩ47F－－图910．一个JFET的转移特性曲线如图10所示，试问：（1）它是N沟道还是P沟道的FET？（2）它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？iD/mA321－4－20vGS/V图1011．

6、在图11所示FET放大电路中，已知VDD＝20V，VGS＝－2V，管子参数IDSS＝4mA，VP＝－4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。（1）求电阻R1和静态电流IDQ；（2）求正常放大条件下R2可能的最大值［提示：正常放大时，工作点落在放大区（即恒流区）］；（3）设rds可忽略，在上述条件下计算Av和Ro。VDDRd10kΩC2＋＋C1T＋RgR11MΩvoviR2－－图1112．源极输出器电路如图12所示。已知FET工作点上的互导gm＝0.9mS，其他参数如图中所示。求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro.

7、VDD12VRg1300kΩCb1T＋0.02FRg3Cb22MΩ＋＋vi10FRRg212kΩvo100kΩ－－图1213．电路参数如图13所示。设FET的参数为gm＝0.8mS，rds＝200kΩ；T2的＝40，rbe＝1kΩ。试求放大器的电压增益Av和输入电阻Ri。VDD18VReRd180Ω1kΩRg147kΩT2Cb1T1Cb2＋1FRg35.1MΩ＋＋v200FiRRg22kΩvo43kΩ－－图1314．电路如图14所示，设FET的互导为gm，rds很大；BJT的电流放大系数为，输入电阻为rbe。

8、试说明T1、T2各属什么组态，求电路的电压增益Av、输入电阻Ri及输出电阻Ro的表达式。VDDCb1Rcv＋T1Cb2ivo＋RLT2Rg＋ReCe图14