磁粉探伤和着色探伤方法

《磁粉探伤和着色探伤方法》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、现用磁粉探伤方法磁粉探伤方法       [主要内容]本标准规定了铁磁材料及其制品磁粉探伤的一般方法和交叉磁轭探伤方法(以下称探伤)、缺陷磁痕的分类等内容。    本标准适用于检验铁磁材料及其制品(以下称试件)表面或近表面的裂纹和其他缺陷。    [应用指要]本标准对磁粉探伤所用的各种设备器材及其技术要求、探伤时机安排，不同的探伤实施方法及各自的特长与适用范围、检验 程序与要领、显示的磁痕判别与分类等进行了扼要的描述和规定，它可作为任何部件磁粉检验规程编制的依据。一个有效的磁粉探伤方法 最基本的要求应该是这样的。其所用磁化方法建立于被检件上的磁场，应尽可能与缺陷预计方向垂直，且应有足够的

2、场强；当用选定的标 准试片(块)校验时，试片上要求检出的人工缺陷处形成的漏磁场应能充分吸附施加的磁粉，形成清晰可见的磁痕。1.术语1.1有效探伤范围  在实际探伤条件下，被检试件上能达到必要磁化状态和所需探伤灵敏度的范围。1.2交叉磁轭  交叉磁轭是由两个轭状电磁铁以一定的夹角进行空间或平面交叉，并用两个不同相位的交流电激励而产生旋转磁场的探伤装置。1.3本标准使用的其他术语按GB／T12604.5的规定。2.探伤人员资格2.1从事探伤的人员，应具有必要的专业知识并取得国家主管部门颁发的与其工作相适应的资格证书。2.2色盲及矫正后视力低于1.0的不得从事探伤操作。3.探伤装置3.1探伤装

3、置应能对试件完成磁化、施加磁粉、提供观察条件及退磁等四道工序。如无必要，可不带退磁装置。3.2探伤装置应适合试件的形状、尺寸、材质、表面状态并满足对缺陷的检测要求。能有效和安全地进行探伤。3.3磁化装置有电流法和永久磁铁法两种。电流法中又可分成交流、直流、脉动电流、冲击电流、旋转磁场等。3.4用电流磁化的装置，应能向试件提供检测缺陷所需的磁势，符合GB／T3721所规定的技术要求。3.5磁轭型或磁极型装置应标明在规定的磁极距离下的提升力数据，作为衡量该装置能向试件输入必要磁势的依据。电磁铁磁 轭还必须标明电流的种类和频率。交叉磁轭应符合JB／T6870技术要求。    3.6湿法中的磁悬

4、液施加装置，应在磁悬液槽内设置搅拌机构，使均匀弥散着磁粉的磁悬液能稳定地施加到试件上去而不影响  已生成的磁痕。    3.7干法中的磁粉施加装置，必须使干燥的磁粉始终呈均匀分散状态，能稳定地把磁粉施加到试件上去而不影响已生成的磁痕。    3.8使用荧光磁粉或荧光磁粉磁悬液探伤时，要采用黑光灯照射装置，该装置辐射波长为320～400nm。在距离黑光灯380mm的试 件表面。紫外线辐照度原则上应大于800μW／cm2，或按GB／T5097间接进行测定。    3.9退磁装置应能根据试件的用途将剩磁减小到指定的限度，剩磁感应强度应低于0.3mT。    3.10探伤装置须定期校验。一般规定

5、每年校验一次，包括对电流表、计时装置、黑光灯照射装置的性能确认。    4磁粉及磁悬液    4.1 磁粉按施加时的不同分散媒介，可以分为干法和湿法两种，按磁粉显示方式的不同，可分为荧光磁粉和非荧光磁粉两种。    4.2 根据试件的材质、表面状态的不同，磁粉应具有适当的磁性、粒度、分散性及色彩。磁悬液还要具有悬浮性。    4.3 磁粉的粒度可以用显微镜测定其定向直径，以累计筛选数的20％及80％粒子直径的范围来表示。测定方法见附件A。    4.4 湿法中用水作载液时应加入适量分散剂、消泡剂、防锈剂和表面活性剂。用油作载液时，采用闪点不低于94℃的无味煤油或  变压器油，运动粘度需在

6、5mm2／s（5cSt）以下。    4.5 磁悬液中的磁粉浓度应根据磁粉种类、粒度以及施加磁粉的方法、时间来确定，磁悬液中每单位容积(1L)所含磁粉的质量为 磁悬液的浓度单位(g/L)。一般非荧光磁粉采用2～10g／L，荧光磁粉采用0.2～2g／L。磁悬液磁粉探伤方法的磁粉浓度测定方法见 附件B。    5标准试片及对比试片    5.1 A型标准试片    5.1.1A型标准试片用来检查探伤装置、磁粉、磁悬液的综合性能以及连续法中试件表面的有效磁场强度和方向、有效探伤范围、  探伤操作是否正确等。这种试片必须经有关计量部门鉴定。    5.1.2A型标准试片分高、中，低三种灵敏度。其

7、型号中的分数值越小，则要求能显示磁痕的有效磁场强度越高。此灵敏度不代表 实际能检测缺陷的大小。    5.1.3A型标准试片中有圆形和十字形人工槽，几何尺寸如图1所示。A型标准试片型号，相对槽深与材质如表l所示。表lA型标准试片型号  相对槽深*μm  灵敏度  材料A—15／100  高  超高纯低碳纯铁A—30／100  中  （C＜0.03%，HC＜80A/m经退火处理）A—60／100  低   *试片相对槽深其分子为人工槽