东南大学信息学院计算机结构与逻辑设计课件11（接口）

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1、计算机结构与逻辑设计强化班04级（第十一次课）测验评述A1DiA0DoR/WCS上图为4×1集成存储单元,试将其扩展为8×2的存储器。因为是Di和Do，所以是4×1而不是4×2方法：先进行位扩展，构成4×2再进行字扩展，构成8×2（或相反）位扩展——地址、控制端并联，输出端分别输出字扩展——地址、R/W端并联，输出端分别并联用高位地址控制片选端A1DiA0DoR/WCSA1DiA0DoR/WCSA1A0R/WCSDi1Do1Di0Do0A1DiA0DoR/WCSA1DiA0DoR/WCSA1A0R/WCSDi1Do1Di0Do0A1Di

2、A0DoR/WCSA1DiA0DoR/WCSA21A1A0R/W先字扩展（4×1——8×1），再位扩展A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WDiDo1A2两片电路，如片选（地址）相同，输出分开——位扩展片选（地址）不同，输出并联——字扩展A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WDi1Do11A2A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSD1D01Di0Do0可以套用书上的画法A1D1A0D0R/WCSA0A1A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D

3、0R/WCSR/WA2Di0Di1Do0Do1最多的错误A1D1A0D0R/WCSA0A1A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSR/WA2Di0Di1Do0Do11。相同的地址输出并联2。不同的地址输出不同更严重的错误A1D1A0D0R/WCSA0A1A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSR/WA2Di0Di1Do0Do1A1D1A0D0R/WCS上图为4×2集成存储单元,试将其扩展为8×4的存储器。4×2指的是存储器中存储矩阵的容量，4是其地址数。若写2×

4、2，则是指地址码位数为2。此处是D1和D0，不是Di和Do——现在的存储器的输入端和输出端是公共的，即所谓I/O端。方法：先进行位扩展，构成4×4再进行字扩展，构成8×4（或相反）位扩展——地址、控制端并联，输出端分别输出A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WCSD3D2D1D0字扩展——地址、R/W端并联，输出端分别并联用高位地址控制片选端A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WCSD3D2D1D0A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WCSD3D2D1D

5、0A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA21先字扩展（4×2——8×2），再位扩展A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WD1D01A2两片电路，如片选（地址）相同，输出分开——位扩展片选（地址）不同，输出并联——字扩展A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1A0R/WD1D01A2A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSD1D01D3D2错误情况：将8×4做成了16×2A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/

6、WCSD1D0BIN/FOUR10012EN3A3A2&&&&ME4×216×2只作了字扩展,未做位扩展A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSD3D2D1D0BIN/FOUR10012EN3A3A2&&&&ME4×28×41位地址码变成了2位地址码A3A2=01时选中左边,A3A2=10时选中右边,然则A3A2=00或11时，二片皆不工作,电路无输出.A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSD3D2D1D01A3A3=0时D1D0有输出D3D2无输出,而A3=

7、1时D1D0有输出D3D2无输出，输出并非4位，且不相同A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSD3D2D1D0BIN/FOUR10012EN3A3A2&&&&ME4×28×4与前面一样的错误每一组用2只存储器只相当于一只存储器A1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSA1D1A0D0R/WCSD3D2D1D0BIN/FOUR10012EN3A3A2&&&&ME4×2自学检查一，复习题什么是存储器的主要矛盾？如何解决？存储器层次化管理的基

8、本思想是什么？MemorycacheSecondarymemory使用层次化体系，应在存储器系统中应增加哪些器件？CDTAPECPUSECONDERYMMEMRYCACHE材速容料度量说出各存储器的材料，速