陶瓷的烧结工艺与设备_升级版

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1、陶瓷的烧结原理与工艺一、烧结原理1.烧结：·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结通常指在高温下，粉粒复合体（坯体）面积减少、气孔率降低、致密度提高、颗粒间接触面积加大、机械强度提高的过程。（1/2～3/4倍）·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结烧结现象：宏观上：体积收缩，致密度提高，强度增加。微观上：气孔形状改变，晶体长大，成份变化（掺杂元素）。表征：收缩率、气孔率、相对密度。0.5～0.7Tm。烧结温度：2.驱动力：是表面能降低和系统自由能降低的过程。蒸发与凝聚（气相烧结）画图表示

2、P＝Poexp（）当为凸面时，r为正，P>Po，蒸气压高，蒸发；为凹面时，r为负，P

3、结；阻滞剂：阻碍晶粒长大，控制烧结速度；烧结气氛、压力。·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结三、陶瓷的烧结方法普通烧结（常压烧结）：又称无压烧结。属于在大气压条件下坯体自由烧结的过程。在无外加动力下材料开始烧结，温度一般达到材料的熔点０.５－０.８即可。在此温度下固相烧结能引起足够原子扩散，液相烧结可促使液相形成或由化学反应产生液相促进扩散和粘滞流动的发生。·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结高温隧道窑·

4、烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结实验用电炉·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结最高使用温度2500℃专门用于高新材料的烧结,如常压烧结碳化硅、氮化硅、其他复合材料的烧结。HTF-300无压烧结碳化硅生产炉2.热压烧结：包括一般热压烧结和等静压烧结。热压烧结指在烧成过程中施加一定的压力（在１０～４０ＭＰａ），促使材料加速流动、重排与致密化。连续热压烧结生产效率高，但设备与模具费用较高，又不利于过高过厚制品的烧制。热等静压烧结可克服上述弊缺，适合形状复杂制品生产。目前一些高科技制品，

5、如陶瓷轴承、反射镜及军工需用的核燃料、枪管等、亦可采用此种烧结工艺。优点：压力有助于致密化，降低烧结温度，缩短烧结时间；烧成的陶瓷晶粒度小，力学性质好；气孔率接近于零，密度接近于理论密度。·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结ZRYS-真空热压烧结炉系列·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结主要技术数据：specification

6、○最高温度（maxtemp）:2000℃○容量（capacity）15-180kg○极限真空度（ultinmatepressure)2*10-3Pa○压升率（pressurerisingrate）≤0.67Pa/h○热区温度均匀性（Tempuniformity)±5℃○最高充气压力（Maxgaspressure)0.18Mpa○液压机压力（Loadofhydraulicpress)500TVHPSF真空热压烧结炉真空热压烧结炉主要技术参数：1.最高温度：2000℃（也可做2300℃）2.工作区尺寸：Ф160χ160mm3.额定功率：40KW4.极限真空

7、度：6.67χ10-3Pa5.液压系统压强：>16MPa6.压力输入：电动压力线性可调7.压头直径：80-120mm（由用户选择）8.显示方式：位移、压力数字显示·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结气氛烧结①透明Al2O3：高纯，无气孔，真空或氢气中烧结。②非氧化物陶瓷：Si3N4、SiC氮气或惰性气体中烧结。③含低熔点成份的陶瓷的烧结。·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结·烧结原理普通烧结气氛烧结反应烧结·影响因素·烧结方法液相烧结其它方法热压烧结型号:FPW180/250-22

8、00-10