微电子专业英语翻译(部分)

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1、微电子专业英语部分翻译段落参考参考教材，不通顺之处自己整理21第一章1页1.1.1Solid-state…固态材料可分为三种：绝缘体、半导体和导体。图1-1给出了在三种材料中一些重要材料相关的电阻值（相应电导率）。绝缘体如熔融石英和玻璃具有很低电导率，在10^-18到10^-8S/cm之间。导体如铝和银有高的电导率，典型值从104到106S/cm;而半导体具有的电导率介乎于两者之间。半导体的电导率一般对温度、光照、磁场和小的杂志原子非常敏感。在电导率上的敏感变化使得半导体材料称为在电学应用上为最重要的材料。3页1.1.2Thesemiconductor…我们研究的半导体材

2、料是单晶，也就是说，原子是按照三维周期形式排列。在晶体中原子的周期排列称为晶格。在晶体里，一个原子从不远离它确定位置。与原子相关的热运动也是围绕在其位置附近。对于给定的半导体，存在代表整个晶格的晶胞，通过在晶体中重复晶胞组成晶格。6页1.1.3Asdiscussed…如1.1.2节所述，在金刚石结构的每个原子被4个相邻原子所包围。每个原子在外轨道具有4个电子，并且每个电子与相邻原子共享价电子；每对电子组成一个共价键。共价键存在于同种原子之间或具有相同外层电子结构的不同元素的原子间。每个电子与每个原子核达到平衡需要相同时间。然而，所有电子需要很多时间在两个原子核间达到平衡。

3、两个原子核对电子的吸引力保证两个原子在一起。对于闪锌矿机构如砷化镓主要的价键引力主要来自于共价键。当然，砷化镓也具有小的离子键引力即Ga+离子与四周As-离子，或As离子和四周Ga+离子。7页1.1.4Thedetailed…结晶固体的详细能带结构能够用量子理论计算而得。图1-3是孤立硅原子的金刚石结构晶体形成的原理图。每个孤立原子有不连续能带（在右图给出的两个能级）。如原子间隔的减少，每个简并能级将分裂产生带。在空间更多减少将导致能带从不连续能级到失去其特性并合并起来，产生一个简单的带。当原子间距离接近金刚石结构的平衡原子间距（対硅而言晶格常数0.543nm）,这个带分

4、为两个带区。这些带被固态电子不能够拥有的能量区域分开。这个区域称为禁带或带隙Eg。如图1-3左侧所示上面称为导带，下面称为价带。10页1.1.5Whenelectrons…当电子在半导体材料中沿着x方向前后运动时，其运动可以用驻波来描述。驻波波长和半导体的长度的关系是：（1）:“nx是一个整数，波长可以表示为。。。”（2）：h是普朗克常数，px是晶体在x方向的动量。把方程1-2带入方程1-1得到。。。（3）：每增加1，动量的增量是：。。。（4）：对边长为L的三维立方体，有：。。。（5）：对L=1的单位立方体，动量空间中的体积于是等于h3.N变化产生一组整数（nx,ny,n

5、z）,每组整数（nx,ny,nz）相应于一个允许的能态。（6）：所以对于能态的动量空间的大小为h3.从p到p+dp的两个同心球之间的体积是4πp2dp（此体积中包含的能态数是。。。，这里因子2计入了电子自旋，用E代替p得到）。11页1.1.6Atfinite在有限的温度下，连续热搅动导致从价带到导带和价带空穴的数量电子的激发。21（本征）半导体是一个包含相对少量的杂质（杂质）相比，热产生的电子和空穴。以获得电子密度（即，每单位体积的电子数）的本征半导体，我们首先评估了电子增量能量范围的dE。此密度N（E）的每单位体积N（E）的允许能量态密度的乘积并通过占据该能量范围F（E

6、）的概率给出。因此，在导带中的电子密度通过从导带的底部积分N（E）的F（E）的DE给出（最初的Ec取为E=0为简单起见），以导带ETOP的顶。（1-8）该电子态能量E由选举占据的概率是由费米-狄拉克分布函数（其也被称为费米分布函数）给出。（1-9）其中，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度在开氏度，和EF是费米能级。费米能级的能量在该占用的通过电子的概率是恰好一半。费米分布函数因此可通过简单的表达式来近似。方程1-10B可视为空穴占据位于能级E的状态的概率。14页1.1.7Whena…当半导体被掺杂有杂质的半导体变得外在和杂质能级引入。一个硅原子被取代（或被取代）由砷原子有五个

7、价电子。砷原子形成共价键与四个相邻的硅原子。第五电子变成被“捐献”给导频带的传导电子。硅成为因为在加入性否定电荷载体的n型，砷原子被称为施主。相似的，当硼原子与3价电子取代硅原子，另外的电子被接受，以形成围绕所述硼四个共价键，和带正电的“空穴”是在价带产生。这是一个p-型半导体，并且所述硼是受主。16页1.2Inthis…在这一节中，我们将会去分析各种各样的载流子，我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，也就是说，载流子浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值。回到平衡条件下，载流子的产生和复合过程将