碳化硅涂层 碳化硅衬底 碳化硅薄膜生产工艺

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1、碳化硅涂层碳化硅衬底碳化硅薄膜生产工艺》《碳化硅制备方法,碳化硅涂层,碳化硅衬底,碳化硅薄膜生产工艺》2010年11月16日星期二下午06:43碳化硅制备方法,碳化硅涂层,碳化硅衬底,碳化硅薄膜生产工艺[A27304-0289-0001]湿法烟气脱硫装置中碳化硅雾化喷嘴的制造方法[摘要]本发明公开了一种湿法烟气脱硫装置中碳化硅雾化喷嘴的制造方法,其基本步骤为:(1)内、外底模制作;(2)用外底模制作生产外模;(3)制作型芯;(4)注浆成型;(5)干燥;(6)素坯修整;(7)烧结;本发明准确完成了雾化喷嘴复杂的内、外结构形式的制造,工艺简单,成品率高,制成的雾化喷嘴不仅具有优良的防腐防锈性能,且

2、高硬度、耐高温、使用寿命长。[A27304-0319-0002]具有碳化硅衬底的发光二极管[摘要]基于未掺杂的内禀SiC衬底(101)的发光二极管(100),在该SiC衬底上生长有:绝缘缓冲结构或集结成核结构(102);发光结构(112);窗口层(107,108);半透明的导电层(119);结合焊盘粘结层(109);p-型电极结合焊盘(110);以及n-型电极结合焊盘(115)。在一个实施例中,衬底(101)的发光表面(130)被粗糙处理,以使光发射最大化。[A27304-0030-0003]一种改进的碳化硅薄板本发明是对陶瓷、耐火行业煅烧用碳化硅质窑具的改进,尤其涉及一种搁烧产品的碳化硅薄板

3、,其特征在于组成为90-99%(重量)3mm以下的SiC颗粒,1-10%的2μ-0SiC微粉,0.03-0.7%的V2O5。采用碳化硅超微粉,不仅使得制品密度提高,制品的抗氧化、耐开裂、高温抗折强度、耐急变性、耐蠕变性和承受高温性能都得到显著均衡提高,而且烧成简单,无需特殊控制烧成物化学成份,易烧结,时间短,能源消耗少。本发明制品SiC含量94-98%,体积密度2.68-2.75g/cm3,1400℃时高温抗折达34-45MPa,最高使用温度可达1500℃,在1380-1390℃环境中使用寿命达400次以上。[A27304-0287-0004]一种碳化硅发热元件发热部的制备工艺[摘要]本发明涉

4、及一种碳化硅发热元件发热部陶瓷材料的制备工艺,包括传统工艺步骤,特征是:碳化硅、石油焦、石墨、活性炭、硅粉的质量分数分别为0.3~0.9、0.05~0.5、0~0.2、0~0.1、0~0.3;共经过包括传统工艺步骤的12道工序和特定工艺条件后得到主晶相为α-SiC,具有气孔率的发热元件发热部。本发明制备的发热元件发热部主晶相为α-SiC,气孔率可调,游离硅含量<2%,性能均匀、稳定,远高于现有技,可制造各种不同规格、不同形状的发热部。[A27304-0245-0005]一种嵌有增韧物质的碳化硅陶瓷[摘要]本发明涉及陶瓷,是关于一种碳化硅陶瓷,特别是一种含有片状氧化铝嵌入颗粒的增韧碳化硅陶瓷。有

5、别于含有碳化硅晶须或含有炭纤维的增韧碳化硅陶瓷,本发明提供一种新的技术方案,本发明的方案提供的是一种含有片状氧化铝嵌入颗粒的增韧碳化硅陶瓷,由于所述片状氧化铝颗粒原料相对廉价,因而,含有片状氧化铝嵌入颗粒的增韧碳化硅陶瓷相对低成本。所述片状氧化铝颗粒是一种在制造增韧碳化硅陶瓷的过程中容易与其它生产原料均匀混合的物质,由此,含有片状氧化铝嵌入颗粒的增韧碳化硅陶瓷是一种品质均匀的增韧碳化硅陶瓷。本发明的方案兼顾利用热膨胀失配诱发微裂纹、裂纹偏转、裂纹桥联以及片状嵌入物的拔出效应等有益的增韧因素。[A27304-0258-0006]一种嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶瓷[摘要]本发明涉及陶瓷,是

6、关于碳化硅陶瓷,特别是一种嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶瓷。本发明的特点,是同时用多种形貌的氧化铝嵌入颗粒与碳化硅晶片一起对碳化硅陶瓷进行组合增韧,碳化硅晶片分散性良好但相对昂贵,而所述氧化铝嵌入颗粒原料相对廉价,并且,所述氧化铝嵌入颗粒原料易于与其它物料均匀混合。本发明的方案避开了难于混料的碳化硅晶须以及炭纤维。[A27304-0626-0007]升华法制备碳化硅纳米棒的方法[摘要]本发明公开了一种升华法制备碳化硅纳米棒的方法,是通过以下工艺过程实现的:将碳化硅粉放入坩埚中,在坩埚上部30~300mm处放置沉积物收集器,置于10-3Pa以下真空环境中,再充以氩气至大于10000Pa并升

7、温至1800~2500℃,之后抽气降压至10000Pa以下并保温15-30小时进行升华沉积。本发明制备出的碳化硅纳米棒为晶态的立方相β-SiC,其表面形貌如图1,2所示。本发明直接使用碳化硅粉末做原料,不使用任何其它前驱物和催化剂,将蒸发源和沉积生长区分离,有效地避免了杂质和其它付产物地影响,获得的碳化硅纯度高,直径在15~30纳米,长度在1~2微米,显示了很好的尺寸均匀性,并且方法简单、易于推广

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