电子技术基础(三)2009.04

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1、全国2009年4月高等教育自学考试电子技术基础(三)试题课程代码：04730一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.两个串联元件A、B上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U1=2V，I=5A，U2=-4V，则()A.元件A吸收功率10W，元件B吸收功率20WB.元件A产生功率10W，元件B产生功率20WC.元件A产生功率10W，元件B吸收功率20WD.元件A吸收功率l0W

2、，元件B产生功率20W2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是()A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联3.若正弦电压（V），(V)，则u2相位()A.超前u1相位B.滞后u1相位C.超前u1相位D.滞后u1相位浙04730#电子技术基础(三)试卷第10页共10页4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示，则可以判断该管为()

3、A.P沟道增强型MOS管B.P沟道耗尽型MOS管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管5.某放大器在1KΩ负载电阻上测得输出电压为1V，在4.7KΩ负载电阻上测得输出电压为1.65V，则该放大器的输出电阻等于()A.1KΩB.2KΩC.4.7KΩD.5.7KΩ6.同相比例运算电路与反相比例运算电路的Rif相比较，则()A.反相比例运算电路的Rif大B.同相比例运算电路的Rif大C.两者Rif一样大D.两者Rif不可比较7.在反相比例运算电路中，下列说法错误的是()A.同相端接地u+=0B.u-

4、=0C.共模输入uic=0D.差模输出u0=08.单相桥式整流电路，U2为变压器副边电压有效值，则输出电压平均值UO(AV)为()A.0.9U2B.U2C.2U2D.3U29.下列集成稳压器中，其输出电压为+6V的是()A.7906B.79M06C.7806D.780910.AB=()A.B.C.D.AB11.某逻辑电路真值表如题11表所示，其函数F的表达式是()浙04730#电子技术基础(三)试卷第10页共10页A.F=B.F=C.F=AD.F=B12.已知波形图如题12图所示，其逻辑函数Y的表达式为

5、()A.Y=B.Y=ABC.Y=D.Y=A+B13.若要使表达式Y=ABCD为0，则ABCD的取值组合为()A.0001B.001lC.0111D.111014.题14图所示电路为同步D触发器，设初始状态为0，则经过一个cp脉冲后，其Q端状态为()A.lB.0C.D.15.题15图所示可编程PLA器件中，A和B为输入变量，则输出变量F为()浙04730#电子技术基础(三)试卷第10页共10页A.F=B+ABB.F=AB+AC.F=AB+D.F=B+A二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)请

6、在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。16.电路如题16图所示，ab两端的等效电阻Rab等于________Ω。17.电路如题17图所示，电流I等于________A。浙04730#电子技术基础(三)试卷第10页共10页18.正弦电压V，则该电压的角频率等于________rad/s。19.N沟道增强型MOS管工作在放大区(恒流区)时，则其漏极电流只受________电压的控制。20.共射-共集构成的两级级联放大电路，其输入电阻由________放大器决定。21.电压并联负反馈能够______

7、__输入电阻。22.理想运放在线性区内其同相输入端与反相输入端的输入电流为________。23.若在电路中发现集成运放处于开环应用，则此电路必为________。24.三端集成稳压器78M05的输出电流为________A。25.低压差集成稳压器的效率比普通线性集成稳压器的效率________。26.十进制数“93”用“8421BCD”码表示为________。27.有三个输入端的与非门电路，要求输出高电平，则其输入端应至少有________个输入端为0。28.题28图所示电路为多路输出选择器(DEM

8、UX)，X为数据输入端，P0，P1，P2，P3为输出端，S1，S0为选择输入端。当X=1，S1S0=11时，则P3=________。29.题29图所示电路的状态方程Qn+1=________。30.PAL电路的结构特点是与阵列可编程，或阵列________。浙04730#电子技术基础(三)试卷第10页共10页三、分析题(本大题共8小题，每小题5分，共40分)31.电路如题31图所示，已知相量电压V，求流过电阻的相量电流。32.运放电路如题