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1、三极管大总结IGBT定义：IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了
2、主导地位。主要应用：直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率（1MW），低频率（1kHz）的传动领域，如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势，而在高载波频率、高斩波频率下,IGBT、IEGT有着广阔的发展前景，在现阶段中压大功率变频领域将由这4种电力电子器件构成其主流器件。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以
3、承受电流冲击。它的并联不成问题，由于本身的关断延迟很短，其串联也容易。尽管IGBT模块在大功率应用中非常广泛，但其有限的负载循环次数使其可靠性成了问题，其主要失效机理是阴极引线焊点开路和焊点较低的疲劳强度，另外,绝缘材料的缺陷也是一个问题。此外在电动机马达驱动器、变频冷气、变频冰箱，甚至是大瓦特输出音响放大器的音源驱动元件。IGBT特点在于可以大功率场合可以快速做切换动作，因此通常应用方面都配合脉冲宽度调变（PulseWidthModulation,PWM）与低通滤波器（Low-passFilters
4、）。主要企业网站WWW.INFINEON.COMWWW.FAIRCHILDSEMI.COMWWW.TOSHIBA.COMWWW.IXYS.COMWWW.IRF.COMWWW.FUJI.COM主要参数：（以下典型值均取自FGA25N120ANTD芯片）VCESCollector-EmitterVoltage耐压典型值1200VVGESGate-EmitterVoltage门限电压典型值±20VICCollectorCurrent集电极电压典型值@Tc=25°C50A@TC=100°C25AICMPuls
5、edCollectorCurrent(Note1)脉冲集电极电流典型值75AIFDiodeContinuousForwardCurrent二极管持续导通电流典型值@TC=100°C25AIFMDiodeMaximumForwardCurrent二极管最大导通电流典型值150APDMaximumPowerDissipation最大功耗典型值@TC=25°C312W@TC=100°C125WTJOperatingJunctionTemperature工作的节点温度典型值-55to+150°CTstgSto
6、rageTemperatureRange存储温度范围典型值-55to+150°CTLMaximumLeadTemp.forsolderingPurposes,1/8”fromcasefor5seconds最大焊点温度（1/8取自于焊接时间为5s）300ICESCollectorCut-OffCurrent集电极开路电流条件VCE=VCES,VGE=0V典型值3mAIGESG-ELeakageCurrent漏极-发射极漏电流条件VGE=VGES,VCE=0V典型值±250nAVGE(th)G-EThre
7、sholdVoltage漏极-发射极门槛电压条件IC=25mA,VCE=VGE最小值3.5典型值5.5最大值7.5VVCE(sat)CollectortoEmitterSaturationVoltage集电极-发射极饱和压降条件IC=25A,VGE=15V最小值2.0典型值2.5V条件IC=25A,VGE=15V,TC=125°C典型值2.15V条件IC=50A,VGE=15V典型值2.65VCiesInputCapacitance输入电容条件VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz典型值3700p
8、FCoesOutputCapacitance输出电容条件VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz典型值130pFCresReverseTransferCapacitance反转传递电容条件VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz典型值80pF图表性能说明以上是基本参数，图表说明，需要更详细的资料请查阅相关手册。参数的测试IGBT的测试参数包括栅极-发射极阈值电压、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、IGBT开通关断时间以及续流二极管的恢复
