电化学腐蚀多晶硅表面织构的研究

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1、毕业设计(论文)题目：电化学腐蚀多晶硅表面织构的研究系别材料工程系专业名称高分子材料与工程班级学号078102112学生姓名江龙迎指导教师王应民二O一一年五月学士学位论文原创性声明本人声明，所呈交的论文是本人在导师的指导下独立完成的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含法律意义上已属于他人的任何形式的研究成果,也不包含本人已用于其他学位申请的论文或成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名：日期：年月日学位论文版权使

2、用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌航空大学科技学院可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。作者签名：日期：年月日导师签名：日期：年月日电化学腐蚀多晶硅表面织构的研究学生姓名：江龙迎班级：0781021指导老师：王应民摘要：多晶硅片表面织构化可以极大程度地提高太阳电池光电转换效率。目前，工业化多晶硅太阳电池表面织构大多采用化

3、学酸腐蚀技术，即在HF-HNO3腐蚀体系添加缓蚀剂和助剂，增加可见光的吸收。该工艺过程将排出大量浓酸废液，给后处理带来诸多不便。采用电化学腐蚀多晶硅，不仅可以减少HF酸的使用量，而且腐蚀液还可以循环使用，较大程度降低了生产成本。本文采用电化学腐蚀技术，通过调节工作电极的电流密度，在线监测多晶硅腐蚀过程E-t变化规律，使用扫描电镜观察多晶硅表面形貌，控制多晶硅氧化-溶解速率，达到优化电化学腐蚀工艺的目的。具体研究了电化学腐蚀液配比、电流密度，腐蚀时间等工艺条件对多晶硅片绒面显微组织结构的影响。实验表明：在电化学腐

4、蚀液HF:C2H5OH=1:1，腐蚀电流密度为30mA/cm2，腐蚀时间120s，可以得到较为理想的多晶硅绒面，腐蚀深度达到1.5~2µm，平均孔径为2~4µm，达到良好的光陷阱作用和减反射效果。关键词：多晶硅；电化学腐蚀；绒面指导老师签名：ElectrochemicalcorrosionpolycrystallinesiliconsurfacetextureofresearchStudentname:JiangLongYingClass:0781021Supervisor:WangYingminAbstrac

5、t:Polycrystallinesiliconsliceofsurfacetexturecandramaticallyimprovethesolarphotoelectricconversionefficiency.Atpresent,theindustrializationpolycrystallinesiliconsolarcellsurfacetextureisusedmostlychemicalacidstechnique,namelyHNO3corrosionsysteminHFaddinginhi

6、bitorandaccelerants,increasetheabsorptionofvisiblelight.Theprocesswillleachoutlargeconcentratedacidliquid,givepost-processingtobringalotofinconvenience.Usingelectrochemicalcorrosionpolysilicon,cannotonlyreducetheusageofHFacid,andamordantcanrecycle,alargerdeg

7、reehasreducedproductioncost.Thispaperadoptedbyadjustingtheelectrochemicalcorrosiontechnology,thecurrentdensitynanoelectrode,on-linemonitoringpolysiliconcorrosionprocessE-tchangerule,usingscanningelectronmicroscopy(SEM),surfacemorphologycontrolpolysiliconoxid

8、ation-dissolvedrate,optimizethepurposeofelectrochemicalcorrosionprocess.Thispaperstudiestheelectrochemicalcorrosiontoliquidratio,currentdensity,corrosiontimewaitingfortechnologicalconditionsofpo