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1、亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究第44卷第12期2010年12月原子能科学技术AtomicEnergyScienceandTechnologyV01.44,No.12Dec.2010亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究郭红霞,罗尹虹,姚志斌,张凤祁,张科营,何宝平,王园明(西北核技术研究所.陕西西安710024)摘要:利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(o.35~o.131am)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEI.)实验研究。给出了SRAM器件的
2、SEU、SEI,截面曲线。与,am级特征尺寸的器件相比.随特征尺寸的减小。单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行r统计分析。MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战。关键词:静态随机存储器;多位翻转;重离子加速器中图分类号:TN305.94文献标志码:A文章编号:】000—6931(2010)12—1498—07ExperimentalResearchofSEUan———————————————————————————————————————————————dSELinHighDensitySRAMsWithSub-micronF
3、eatureSizesGUOHong—xia,LUOYin—hong,YAOZhi—bin,ZHANGFeng—qi,ZHANGKe-ying,HEBao—ping。WANGYuan—ming(NorthwestInstituteofNuclearTechnology。Xi’an710024.China)Abstract:TheaggressivedownscalingofCMOStechnologyhasresultedtioninducedsingleHI一13tandemsingleeventeventinthatradia—upset(SEU)reliabilityisge
4、ttingworseandworse.UsingtheinacceleratorChinaInstituteaofAtomicEnergy,heavyionSEUandlatch—up(SEI。)sensitivitiesforvarietyofnon—hardenedhighdensitystatic———————————————————————————————————————————————urerandomaccessmemories(SRAMs)withsub—micronfeatsizeswerereported.Thewithresultswerecomparedwit
5、hpreviouslymeasuredsensitivitiesforsimilardeviceslargerfeatures.TheproblemsassociatedwithSEUbecomemoresionsseverasdevicedimen—in0.13decrease.Multiple-bitupsets(MBU)fortheHM62V16100LTl5attmCMOStechnologycausedbytionsingleionwereanalyzed.Thefrequencyandthedistribu—systemofofMBUweregiven.MBUmakes
6、challengeforEDACadoptedbythesatellites.Keywords:staticrandomaccessmemory;multiple-bitupset;heavyionaccelerator收稿日期:2009一11—06‘修回日期:2010-024)5作者简介:郭红曩(1964一)。女。山西太原人.研究员。博士。从事集成电路空问辐射效应模拟试验技术和数值模拟研究万方数据———————————————————————————————————————————————1499存储器的单粒子效应研究一直是国内外单粒子效应的热点。国内许多单位都开展了存储器的单粒
7、子效应实验研究【118],针对小尺寸器件(特征工艺在0.25肛m以下)和大容量存储器(如16M)的单粒子实验研究关注得较少。随着器件向深亚微米、超深亚微米方向迅速发展,集成电路的特征尺寸不断减小,辐射损伤效应更为显著。以往大尺寸中不明显的效应也突出而成为新损伤因素【9’10。。特别是单粒子效应,新的损伤机制、新的现象不断出现,如单粒子多位翻转(MBU)、单粒子微剂量硬错误、单粒子微剂量硬损伤、单粒子功能中断等,如何深入解释这些损伤的机制、准确测量并正确评估其在空间轨道
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