资源描述：
《静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第37卷第6期原子能科学技术Vol.37,No.62003年11月AtomicEnergyScienceandTechnologyNov.2003静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟郭红霞,陈雨生,周 辉,贺朝会,李永宏(西北核技术研究所,陕西西安 710024)摘要:采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线
2、,并给出临界电-14荷7173×10C。关键词:单粒子翻转;线性能量传输;电荷漏斗模型中图分类号:TN38611文献标识码:A文章编号:100026931(2003)0620508205Two2dimensionalNumericalSimulationoftheEffectofSingleEventUpsetforSRAMGUOHong2xia,CHENYu2sheng,ZHOUHui,HEChao2hui,LIYong2hong(NorthwestInstituteofNuclearTechnology,Xi’an71002
3、4,China)Abstract:Inthepaper,Singleeventupset(SEU)forSRAMissimulatedusingthesoftwareofMEDICItwo2dimensionaldevicesimulator.Fromthetheory,areliableapproachissetupforanalyzingdevice’sSEU.Collectivechargedependingonlinearenergytransfer(LET)forspecificdevicestructureiscal
4、culatedfordifferentparticlesLETandthecriticalchargeispro2vided.Theresultsofsimulationareconsistentwiththemodelofchargingfunnel.Ithasbeenproventhatthemodelspresentedinthepaperarecorrect.Therearesomeimprovementstobediscussed.Keywords:singleeventupset;linearenergytransf
5、er;modelofchargefunneling 国外对单粒子翻转(SEU)已研究了20余中国原子能科学研究院的HI213串列加速器。年,在各类轨道的卫星上和各种加速器上进行一般情况下,实验方法过程复杂,需要采用不同了多种芯片实验。国内目前在实验室条件下能的离子源辐照装置,不利于快速评估器件的单252够利用的模拟粒子源主要有Cf源装置、粒子性能。计算机模拟SEU在国内尚处于起14MeV中子发生器、35MeV质子加速器以及步阶段,需要一种理论的模拟方法及手段。收稿日期:2002209212;修回日期:2002212216作者简
6、介:郭红霞(1964—),山西太原人,副研究员,博士,微电子学与固体电子学专业©1994-2006ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreserved.http://www.cnki.net第6期 郭红霞等:静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟5091 电荷漏斗模型拟计算中加入产生复合项,求得瞬态解,得到粒在单粒子效应损伤机理的研究过程中,提子注入后产生的电流脉冲及电压随时间的变化出了不少模型,其中包括电荷漏斗模型[1～4]。过程。该模型是在研究α
7、粒子引起的单粒子损伤机理在MEDICI中,离子注入后,与电流连续时提出的。图1示出电荷漏斗模型电荷聚集过方程对应的过剩载流子产生率G为:程。一个n+p结加VD正偏压,形成空间电荷G=T(t)R(r)L(l)为NA的耗尽区。当一α粒子垂直注入时,产式中:L(l)为入射离子的深度函数分布,与离生一半径为100nm的电子2空穴对的等离子体子的种类、能量、射程有关;R(r)反映入射离子[6](图1a)。这时等离子体的密度比衬底掺杂浓的横向半径分布,一般取为012μm;T(t)为度高出几个数量级,达到1018～1019cm-3。在离子的时
8、间分布函数,服从高斯分布。T(t)由此瞬间,等离子体周围的耗尽层被中和下式决定:2(图1b)。耗尽层进一步消失,由于失去屏蔽作t-T02exp-用,正偏压VD产生的电场推进到衬底内部T(t)=TcT0(图1c)。等离子体存在两种形式的电荷分离,Tcπerfc-T
