低功耗手多媒体终端硬件平台的研究1

低功耗手多媒体终端硬件平台的研究1

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时间:2018-08-03

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1、低功耗手多媒体终端硬件平台的研究1择要:议决选择低功耗器件,特别是高屈从DC/DC变更器,公正举行电路板布线,优化结构级计划,举行体系级功率管理,从而延伸电池事情时间。凭据多媒体终真个要求,选择了许多新工艺器件,极大地低落了体系功耗。要害词:低功耗OMAP1510能源屈从DC/DC变更器手机、PDA等手持配置对图像、音频处理本事的要求日益前进,同时要求配置的体积、重量越来越小。这些配置一样平常靠单节可充电锂电池作为电源。因而前进处理本事,低落体系功耗以延伸电池事情时间是手持配置的重要研究课题[1]。参考文献[1]讨论了低功耗的体系计划技能,特别夸大减小电容,缩减

2、不须要的开关行为,低落电压和频率。外部器件间的毗连通常比片上毗连电容更大。实验证明10%~40%的能量消耗在总线多工器驱动器上。应淘汰输出,只管即便使用片上资源。单纯低落频率并不能低落功耗,由于完成同样的使命需要更长的时间。低落电压会导致性能低落,议决增长并行器件来增补。选择低电压的CMOS芯片,芯片内各个功效模块应能分别举行低功耗的管理。CMOS器件的功耗重要分两类:静态功耗和动态功耗。运态功耗依赖于事情频率,静态功耗与事情频率无关。偏置电流(Pb)和泄泄电流(Pl)引起静态功耗,短路电流(Psc)和动态功耗(Pd)是由电路的开关行为引起的。器件总功耗P可以表

3、现为:P=PdPscPbPlPd=CaffV2fCeff=C上式中,V和f分别是器件事情电压和频率,Ceff是等效的开关电容,C是允放电电容,是生动性加权因子,表现电路状态孕育发生转变的概率。CMOS器件功耗的85~90%是动态功耗,而动态功耗与事情电压的平方成正比。因此选择低电压器件能极大地低落功耗。1主处理器选择现在在手持配置中,重要运用ARM处理。ARM处理器的利益是价钱低、功耗小,特别适当种种控制功效[2]。ARM芯片采用冯·诺依曼结构,指令、数据所在存储统一编址,使用单一的32位数据总线传送指令和数据。这种体系结构使ARM控制功效较强,媒体处理速率较慢

4、,适当人机接口和通讯协议。为了前进媒体处理本事,INTEL在PXA250Xscale芯片上增长了协处理器,用来举行乘累加。TI的OMAP1510芯片内部集成了一个ARM925核及一个C55X核。ARM事情频率高达175MHz。C55X采用哈佛结构,具有步伐总线、三条读数据总线和二条写数据总线。C55X具有两个硬件乘累加单元、两个ALU,还有用于DCT/IDCT、活动预计、1/2像素内插的硬件加快器。事情电压1.6V,视频高到达200MHz。C55x指令集从8~48比特,改进了代码密度,淘汰了存储器访问次数。2最小单片机体系(存储器)现在存储器重要有:SRAM、S

5、DRAM、FRAM、EEPROM、FLASH。由于平台常存储大量数据,如操作体系应用步伐,可以选择FLASH,如INTEL28F128L18[3]。28F128L18初始访问时间是85ns,异步页模式为25ns,同步突发为54MHz,能在读周期完成后自动进入功率节省模式,片选无效或复位有用时进入standby模式,电流约莫50uA,异步读电流约莫18mA。为了回快应用步伐的招执,配置SDRAM大概SRAM。由于SDRAM比SRAM容量大、价钱自制,选用SDRAM用于数据存储。由于体系在运行时,大功耗元件除LCD配景光外,即是SDRAM。偿和部分阵列革新的Mobi

6、leSDRAM产品对低落功耗非常重要。如SAMSUNGK4M28163PD-RS1L,自动革新电流85mA,4bank激活突发模式为50mA,可使能SDRAM自动预充。这样在每次突发读写后,该bank进入空闲状态,电流可降到5.5mA。OMAP1510对K4M28163PD-RS1L举行控制时,应置K4S56163-RR75为全页突发,以减小访问时间,低落功耗。体系常有一些数据量不大的数据需要生存,可采用铁电存储器,如声音的音量、LCD的亮度。这些参数如果生存到FLASH大概EEPROM,功耗会更大。FLASH需要整块擦除。RAMTRON的FM24CL16在3V

7、电源100kHz频率读写时,电流为75uA,standby电流为1uA。ATMELAT24C16在5V100kHz读写电流分别是0.4mA、2mA,在2.7V时standby电流为1.6uA。AT24CL16字节写入时间约莫10ms,FM24CL16写入时间总为线时间,不需延时,因而功耗较小。SDRAM与FLASH、SRAM采用差异的接口,在调试ARM停止服务步伐时,由于停止服务矢量位于低端所在,调试时最好有SRAM映射到0所在处。因此SRAM和FLASH的片选信号应该是可配置的。SRAM可选用CypressCY62157DV18,典型事情电流10mA,stan

8、dby电流为2uA。3其

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