华中科技大学博士研究生

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1、华中科技大学博士研究生考试大纲 集成电路原理与设计试题大纲第一篇MOS逻辑集成电路·MOS晶体管工作原理1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1.2 MOS晶体管的阀值电压分析1.3 MOS晶体管的电流方程1.4 MOS瞬态特性·MOS器件按比例缩小2.1 按比例缩小理论2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响2.3 不能按比例缩小的参数的影响2.4 VLSI发展的实际限制·CMOSIC工艺流程及电路中的寄生效应3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤3.2 CMOSIC工艺流程3.3 CMOSIC中的

2、寄生效应·CMOS反相器和CMOS传输门4.1 CMOS反相器的直流特性4.2 CMOS反相器的瞬态特性4.3 CMOS反相器的功能4.4 CMOS反相器设计4.5 CMOS和NMOS电路性能比较4.6 CMOS传输门·CMOS静态逻辑电路设计5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点5.2 CMOS与非门的分析5.3 CMOS或非门的分析5.4 CMOS与非门与或非门的设计5.5 组合逻辑电路的设计5.6 类NMOS电路5.7 传输们逻辑电路5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列·动态和时序逻辑电路设计6.1 动

3、态逻辑电路的特点6.2 预充—求值的动态CMOS电路6.3 多米诺(Domino)CMOS电路6.4 时钟CMOS(C2MOS)6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路6.6 CMOS触发器6.7 时序逻辑电路·输入、输出缓冲器7.1 输入缓冲器7.2 输入保护电路7.3 输出缓冲器7.4 脱片输出驱动级的设计7.5 三态输出和双向缓冲器·MOS存储器8.1 DRAM8.2 SRAM8.3 ROM和PLD·MOSIC的版图设计9.1 VLSI的设计方法9.2 门阵列和标准单元设计方法9.3 版图设计·SO

4、ICMOS简介10.1 SOICMOS工艺10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应·BiCMOS电路11.1 MOS和双极型器件性能比较11.2  BiCMOS工艺和器件结构11.3  BiCMOS逻辑门的设计11.4  BiCMOS和CMOS电路性能的比较11.5  BiCMOS电路实例·MOS逻辑集成电路（续）·nMOS逻辑集成电路6-1 电阻负载MOS倒相器6-2 E/EMOS倒相器6-3 自举负载MOS倒相器6-4 E/DMOS倒相器6-5静态MOS电

5、路·CMOS集成电路7-1 CMOS倒相器7-2 CMOS传输门7-3 静态CMOS电路7-4 CMOS门电路的设计7-5 CMOS电路中的锁定效应·动态和准静态MOS电路8-1 栅电容的电荷存储效应8-2 动态MOS倒相器8-3 动态MOS电路8-4 准静态MOS触发器8-5 动态和准静态CMOS电路·MOS集成电路的版图设计9-1 MOS集成电路的工艺设计9-2 MOS集成电路版图设计9-3 MOS集成电路版图设计举例·MOS大规模集成电路10-1 LSI电路中的CAD技术10-2 HMOS技术10-3

6、 MOS存储器10-4 微处理器中的算术逻辑单元10-5 半定制逻辑电路·模拟集成电路·模拟集成电路中的特殊元件11-1 横向pnp管11-2 纵向pnp管11-3 超增益晶体管11-4 隐埋齐纳二极管11-5 集成电路中的电容器11-6 薄膜电阻器·模拟集成电路中的基本单元电路12-1 差分放大器12-2 恒流源电路和有源负载12-3 基准源电路12-4 模拟开关·集成运算放大器13-1 运算放大器的基本概念13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性13-4 µA741

7、通用型运算放大器13-5 提高集成运算放大器性能的途径·模拟集成电14-1 集成电压14-2 D/A转换器14-3 A/D转换器14-4 MOS模拟集成电路·模拟集成电路的版图设计15-1 模拟集成电路版图设计特点15-2 模拟集成电路中的相容技术15-3 µA741运算放大器版图设计分析