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时间:2018-08-03
《《材料表面界面和微结构分析表征》复习提纲1》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、《材料表面界面和微结构分析表征》复习提纲绪论掌握现代分析技术的原理、特点和分类。作业与思考:试述体分析,表面分析和微区分析的概念并举例.第一章表面科学与表面分1.了解表面分析仪的组成、各部分的功能和要求;2.掌握X-射线发射机理、命名、谱线波长和相对强度变化规律。3.掌握电子能量分析器工作原理以及表述方法。作业与思考:1.画图并通过数学推导详述CHA电子能量分析的工作原理;2.画图并说明特征X-射线发射机理;3.画图并说明特征X-射线的命名、谱线波长和相对强度的变化规律。第二章俄歇电子能谱1.掌握Auger效应,Auger跃迁的过程和Auger电子的命名2.了解A
2、uger电子能谱的认识3.掌握决定Auger峰能量的因素4.了解Auger峰精细结构与化学状态分析5.掌握Auger信号强度与AES定量分析(概念、方法和公式等)。作业与思考:1.分别画图并说明电子和X-射线与物质相互作用产生Auger电子跃迁的过程;2.决定Auger信号强度的主要因素有哪些?(1)元素电离几率;(2)Auger跃迁几率;(3)Auger的逃逸深度。入射电流强度IP电离几率σax(1+γm)俄歇跃迁几率PA仪器因素T&D原子浓度NA信息深度Z3AES定性分析的依据是什么?(1)峰位(能量),由特定元素原子结构确定;(2)元素的峰数,由特定元素原子
3、结构确定(可由量子力学估计);(3)各峰相对强度大小也是该元素特征;以上三条是俄歇能谱定性分析的依据,这些数据均有手册可查。4.AES定量分析方法和对应公式是什么?标样法灵敏度因素法5.根据不锈钢样品的AES谱图,量得Cr529(eV)、Fe703(eV)和Ni848(eV)的Auger峰高分别为4.6、9.8和1.6,查表得Cr、Fe和Ni对应的灵敏度因子分别为0.28、0.19和0.26,试计算该不锈钢样品表面的Fe、Cr和Ni的含量(%)。第三章X射线光电子谱1.XPS和AES分析的特点对比2.掌握XPS基本X光电子产生和能量关系3.掌握XPS谱图认识:主结
4、构和产生机理4.化学位移及化学状态分析5.掌握灵敏度因子法XPS定量分析(概念、方法和公式等)。作业与思考:1.Auger电子和X光电子的动能各由哪些因素决定?Auger电子能量只与激发过程中涉及的原子轨道有关,X光电子的能量还与入射源的能量有关。2.如何区别Auger电子和X光电子峰?饿歇e峰位与入射源能量无关X光e峰位与入射源能量有关因此,换入射源后,峰位不变的是Auger电子峰,而峰位移动的是X光电子峰。3.AES定量分析中的相对灵敏度因子与XPS中的灵敏度因子有何区别?IsAg351为纯元素Ag在能量351eV处的最强Auger峰的强度,可见SA表示A元素
5、相对于纯Ag的灵敏度。Sj=fσθνλAT称为元素j的灵敏度因子,则Ij=nj·Sj一般定义元素氟的灵敏度因子SF=1,并对各元素的Sj进行行归一化理。4.AES和XPS中的强度分别指什么?(提示:一个是峰的积分面积,另一个是正峰减负峰的峰高度)5.画出并解释MgK激发Ag的XPS图的主结构.从该图中可以获得哪些信息?第四章扫描电子显微镜1.了解扫描电镜的工作原理;2.掌握电子激发信息的种类及深度(液滴模型);3.掌握扫描电镜中图像的衬度分析;重点掌握二次电子、背散射电子成像特点。4.了解电子探针的工作原理,掌握点线面分析模式的用途;5.通过对比分析了解波谱仪和能
6、谱仪的特点。作业与思考1、简述二次电子、背散射电子成像特点。①由于SE的产额δ∝cosθ与表面形态一一对应,二次电子的强度对表面形貌的变化敏感,故可以用以形成形貌衬度像。②SE主要来自于样品表层50—100A的深度范围,电子束未向横向扩展,所以SE的分辨率相当于束斑直径,分辨率高,适于显示形貌细节特征。①样品表面平均原子序数Z较高的区域,产生较强的BSE信号,图像较亮,而Z较低的区域,图像较暗,形成成分衬度或称原子序数衬度像。②BSE出射的区域比SE深且宽,所以分辨能力比SE差,一般为150A。2.画图说明背散射电子成像时如何获得形貌衬度像和原子序数衬度像。3通过
7、液滴模型分析扫描电镜各种图像的分辨率的差异。俄歇电子的发射深度最浅<20A,二次e次之<100A;背散射e较深,而特征X射线的发射体积和深度均最大,分辨率最低。4一镀金的铜引线横断面如图所示。以入射电子束照射,用新型(对偶)半导体探测器检测背散射电子信号。要求:(1)说明用对偶半导体探测器检测信号有什么好处?粗糙表面的原子序数衬度往往被形貌衬度所掩盖,为了区别BSE像中的形貌衬度和原子序数衬度,采用新型半导体电子探测器。它是由装在样品上方的一对硅半导体组成,对原子序数而言,两侧检测器接收的BSE信号强度是一样的,对形貌来说则是互补的,利用电路上的加法处理可使原子序
8、数信号放大
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