利用霍尔效应测量磁场 教案

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1、利用霍尔效应测量磁场【教学目的】1.使学生了解霍尔电压产生的机制； 2.使学生学会用霍尔元件测量磁场的基本方法【重点与难点】重点：霍尔效应产生的原理;难点：1、霍尔电压的产生机制 ；2、消除附加效应的方法 【实验内容】1．霍尔元件输出特性测量（测绘VH-IS曲线。VH-IM曲线）2．测绘螺线管轴线上磁感应强度的分布曲线【教学方法】口头讲述、板书、实验演示【教学过程设计】1、内容的引入：提问 ：（1）、 电荷在磁场中作切割磁力线的运动会受到什么力的作用？这个力会使电荷的运动发生怎样的变化？ （洛伦兹力；圆周运动）（2）、什么是霍尔

2、效应？ 霍尔电压是怎样产生的？ （见实验原理）2、重点讲解（一）、实验原理（1）霍尔效应霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。如图所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。由于洛仑兹力fL作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使

3、B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fE的作用。随着电荷积累的增加，fE增大，当两力大小相等（方向相反）时，fL=－fE，则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势差称为霍尔电势UH。设电子按均一速度，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为：fL=－eB式中：e为电子电量，为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。同时，电场作用于电子的力为：fEl式中：EH为霍尔电场强度，VH为霍尔电势，l为霍尔元件宽度当

4、达到动态平衡时:fL=－fEB=UH/l（1）设霍尔元件宽度为，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的工作电流为（2）由(1)、(2)两式可得：（3）即霍尔电压VH　(A、B间电压)与Is、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数称为霍尔系数（严格来说，对于半导体材料，在弱磁场下应引入一个修正因子，从而有），它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导率的关系，还可以得到：或（4）式中：为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。当霍尔元件

5、的材料和厚度确定时，设：（5）将式（5）代入式（3）中得：（6）式中：称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是，一般要求愈大愈好。由于金属的电子浓度很高，所以它的RH或KH，都不大，因此不适宜作霍尔元件。此外元件厚度d愈薄，KH愈高，所以制作时，往往采用减少d的办法来增加灵敏度，但不能认为d愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件是不希望的。本实验采用的霍尔片的厚度d为0.2mm，为1.5mm，长度L为1.5mm。应当注意：当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时

6、（如图2-2），作用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量，此时：所以一般在使用时应调整元件两平面方位，使VH达到最大，即：，这时有：（7）由式（7）可知，当工作电流Is或磁感应强度B，两者之一改变方向时，霍尔电势UH方向随之改变；若两者方向同时改变，则霍尔电势UH极性不变。（2）螺线管的磁场强度：根据毕奥-萨伐尔定律，对于长度为2L,匝数为N1,半径为R的螺线管离开中心点x处的磁感应强度为其中N/A2，为真空磁导率；n=N/2L，为单位长度的匝数，本实验的螺线管的N=1800匝，总长度为2L=183mm。对于“无限长”螺线管,

7、L》R，所以B=μ。nI对于“半无限长”螺线管,在端点处有X=L，且L》R，所以B=μ。nI/2（3）实验中的副效应及其消除法测量霍尔电势UH时，不可避免的会产生一些副效应，由此而产生的附加电势叠加在霍尔电势上，形成测量系统误差，这些副效应有：1）不等位电势U0由于制作时，两个霍尔电势不可能绝对对称的焊在霍尔片两侧（图2-4a）、霍尔片电阻率不均匀、控制电流极的端面接触不良（图2-4b）都可能造成A、B两极不处在同一等位面上，此时虽未加磁场，但A、B间存在电势差U0，此称不等位电势，U0＝IsR0，R0是两等位面间的电阻，由此可

8、见，在R0确定的情况下，U0与Is的大小成正比，且其正负随Is的方向而改变。图2-4a图2-4b2）爱廷豪森效应当元件X方向通以工作电流Is，Z方向加磁场B时，由于霍尔片内的载流子速度服从统计分布，有快有慢。在到达动态平衡时，在磁场的作用下慢速快速的载流子将在洛