半导体物理学题库20121229

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1、1．固体材料可以分为晶体和非晶体两大类，它们之间的主要区别是。2．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。5．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，为非简并条件；

2、为弱简并条件；简并条件。6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指：；7．施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中心；8．半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。9.半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。10.施主杂质电离后向半导体提供，受主杂质电离后向半导体提供，本征激发后向半导体提供。11.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致靠近Ei。12.热平衡时，半导体中

3、电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与和有关，而与、无关。A.杂质浓度B.杂质类型C.禁带宽度D.温度12.指出下图各表示的是什么类型半导体？13．nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？不变；当温度变化时，nopo改变否？改变。14．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为.15．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有

4、浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是，称为爱因斯坦关系式。16．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。17．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。一、简答分析题1．能带图的表示方法有哪几种形式？2．试简述半导体中有效质量的意义。3．什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。4．试指出空穴的主要

5、特征。5．深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？6.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？7.何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？8.何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在9.漂移运动和扩散运动有什么不同？10.为什么半导体满带中的少量空状态可以用带有正电荷和具有一定质量的空穴来描述？11.说明半导体中浅能级杂质、深能级杂质的作用有何不同？12.为什么Si半导体器件的工作温度比Ge半导体器件的工作温度高？你认为在高温条件下工作的半导体应满足什么条件？13.证明：.对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导

6、体的费米能级之上，即EFn>EF。证明：设nn为n型半导体的电子浓度，ni为本征半导体的电子浓度。显然nn>ni即14．画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。15．以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。答：设半导体为n型，有AB：本征激发可忽略。温度升高，载流子浓度增加，杂质散射导致迁移率也升高，故电阻率ρ随温度T升高下降；BC：杂质全电离，以晶格振动散射为主。温度升高，载流子浓度基本不变。晶格振动散射导致迁移率下降，故电阻率ρ随温度T升高上升；CD：本征激发为主

7、。晶格振动散射导致迁移率下降，但载流子浓度升高很快，故电阻率ρ随温度T升高而下降；名词解释1．简并半导体2．漂移运动与扩散运动3．深能级杂质和浅能级杂质4．非平衡载流子5．本征激发6．杂质补偿7．平均自由程和平均自由时间8．一、计算题得分1．已知一维晶体的电子能带可写成：式中a是晶格常数，试求：（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量；（5）能带顶部空穴的有效质量解：（1）由得（n=0，±1，±2…）进一步分析，E（k）有极大值，时，E（k）有极小值所以布里渊区边界

8、为(2)能带宽度为(3）电子在波矢k状态的速度（4）电子的有效质量能带底部所以(5)能带顶部，且，所以能带顶部空穴的有效质量1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量和价带极大值附近能量分别为：和为电子惯性质量，=1/2a，a=0.314nm.试求：①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量；④价带