《半导体物理学》习题库

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1、第1章思考题和习题1.300K时硅的晶格常数a=5.43Å，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？2.综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。3.画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。4.以硅为例，简述半导体能带的形成过程。5.证明本征半导体的本征费米能级Ei位于禁带中央。6.简述迁移率、扩散长度的物理意义。7.室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：（a）计算77K、300K、473K3个温度下的本征载流子浓度。（b）30

2、0K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s，计算本征硅的电阻率是多少？8.某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷，求室温下的载流子浓度及费米能级EFN的位置（分别从导带底和本征费米能级算起）。9.某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼，求室温下的载流子浓度及费米能级EFP的位置（分别从价带顶和本征费米能级算起）。10.求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。11.掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅，室温下计算：（a）光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子，是否为

3、小注入？为什么？12（b）附加光电导率△σ为多少？（c）画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(Ei为参考)的位置示意图。（d）画出平衡下的能带图，标出EC、EV、EFP、Ei能级的位置，在此基础上再画出光注入时，EFP’和EFN’，并说明偏离EFP的程度是不同的。12.室温下施主杂质浓度ND=4×1015cm-3的N型半导体，测得载流子迁移率μn=1050cm2/V·s，μp=400cm2/V·s,κT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少？第2章思考题和习题1．简述ＰＮ结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。2．画出平衡ＰＮ结，正向ＰＮ结与反向ＰＮ结的能带

4、图，并进行比较。3．如图２-６９所示，试分析正向小注入时，电子与空穴在５个区域中的运动情况。4．仍如图２-６９为例试分析PN结加反向偏压时，电子与空穴在５个区域中的运动情况。125试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图，写出边界少子浓度及少子浓度分布式，并给予比较。6.用平衡PN结的净空穴等于零的方法，推导出突变结的接触电动势差UD表达式。7．简述正反向PN结的电流转换和传输机理。8．何为正向PN结空间电荷区复合电流和反向PN结空间电荷区的产生电流。9．写出正、反向电流_电压关系表达式，画出PN结的伏安特性曲线，并解释pN结的整流特性特性。10．推导硅突变结空间电荷区电场分布

5、及其宽度表达式。并画出示意图。11．推导线性缓变变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。并画出示意图。12．什么叫PN结的击穿与击穿电压，简述PN结雪崩击穿与隧道击穿的机理，并说明两者之间的不同之处。13．如何提高硅单边突变结的雪崩击穿电压？14．如何提高线性缓变结的雪崩击穿电压？15．如何减小PN结的表面漏电流？16．什么叫PN结的电容效应、势垒电容和扩散电容？17．什么叫做二极管的反向恢复过程和反向恢复时间？提高二极管开关速度的途径有哪些？18．以N型硅片为衬底扩硼制备PN结，已知硼的分布为高斯函数分布，衬底浓度ND=1×1015/cm3，在扩散温度为1180℃12下

6、硼在硅中的扩散系数D=1.5×10-12cm2/s，扩散时间t=30min，扩散结深Xj=2.7μm。试求：①扩散层表面杂质浓度Ns？②结深处的浓度梯度aj？③接触电势差UD？19.有两个硅结，其中一个结的杂质浓度,;另一个结的，，求室温下两个PN结的接触电动势差。并解释为什么杂质浓度不同，接触电动势差的大小也不同。20.计算一硅PN结在300K时的内建电场，，。21.已知硅PN结：，，截面积，求①理想饱和电流？②外加正向电压为时的正向电流密度？③电子电流与空穴电流的比值？并给以解释。22.仍以上题的条件为例，假设计算反向偏压时的产生电流密度。23.最大电场强度（T=300

7、K）？求反型电压300时的最大电场强度。24.对于一个浓度梯度为的硅线性缓变结，耗尽层宽度为。计算最大电场强度和结的总电压降。25.一硅N结，其，面积计算反向偏压分别等于和的么势垒电容、空间电荷区宽度和最大电场强度。1219.计算硅结的击穿电压，其（利用简化式）。20.在衬底杂质浓度的型硅晶片上进行硼扩散，形成结,硼扩散后的表面浓度结深。试求结深处的浓度梯度，施加反向偏压时的单位面积势垒电容和击穿电压。21.设计一突变结二极管。其反向电压为，且正向偏压为时的正向电流为。并假设。22.一硅N结，，求击穿时