第3章 存储器系统

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1、第3章存储器系统一．选择题1．计算机工作中只读不写的存储器是()。(A)DRAM(B)ROM(C)SRAM(D)EEPROM2．下面关于主存储器（也称为内存)的叙述中，不正确的是()。(A)当前正在执行的指令与数据都必须存放在主存储器内，否则处理器不能进行处理(B)存储器的读、写操作，一次仅读出或写入一个字节(C)字节是主存储器中信息的基本编址单位(D)从程序设计的角度来看，cache（高速缓存）也是主存储器3．CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个()周期。(A)指令(B)总线(C)时钟(D)读写4．存取周期是指()。(A)存储器的写入时间(B)存储器的读出时间(C)

2、存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔(D)存储器进行连续读/写操作允许的最短时间3间隔5．下面的说法中，()是正确的。(A)EPROM是不能改写的(B)EPROM是可改写的，所以也是一种读写存储器(C)EPROM是可改写的，但它不能作为读写存储器(D)EPROM只能改写一次6．主存和CPU之间增加高速缓存的目的是()。(A)解决CPU和主存间的速度匹配问题(B)扩大主存容量(C)既扩大主存容量，又提高存取速度(D)增强CPU的运算能力7．采用虚拟存储器的目的是()。(A)提高主存速度(B)扩大外存的容量(C)扩大内存的寻址空间(D)提高外存的速度8．某数据段位于以70000起始的存储区，若该

3、段的长度为64KB，其末地址是()。(A)70FFFH(B)80000H(C)7FFFFH(D)8FFFFH9．微机系统中的存储器可分为四级，其中存储容量最大的是()。(A)内存(B)内部寄存器(C)高速缓冲存储器(D)外存10．下面的说法中，()是正确的。(A)指令周期等于机器周期(B)指令周期大于机器周期(C)指令周期小于机器周期(D)指令周期是机器周期的两倍11．计算机的主内存有3K字节，则内存地址寄存器需()位就足够。(A)10(B)11(C)12(D)1312．若256KB的SRAM具有8条数据线，那么它具有()地址线。(A)10(B)18(C)20(D)3213．可以直接存取1M字

4、节内存的微处理器，其地址线需()条。(A)8(B)16(C)20(D)2414．规格为4096×8的存储芯片4片，组成的存储体容量为()。(A)4KB(B)8KB(C)16KB(D)32KB15．一个有16字的数据区，其起始地址为70A0：DDF6H，则该数据区末字单元的物理地址为（）。（A）14E96H（B）7E814H（C）7E7F6H（D）7E816H16．某微型计算机可直接寻址64M字节的内存空间，其CPU的地址总线至少应有()条。（A）20（B）30（C）16（D）2617．对于地址总线为32位的微处理器来说，其直接寻址范围可达（）。（A）64MB（B）256MB（C）512MB（D

5、）4GB18．通常高速缓存是由快速()组成。(A)SRAM(B)DRAM(C)EEPROM(D)Flash19．CPU在执行指令的过程中，每完成一次对存储器或I/O端口的访问过程，称为（）。(A)时钟周期(B)总线周期(C)总线读周期(D)总线写周期20．某CPU有32条地址线，与之相连的一个I/O芯片的口地址为210H～21FH，则该I/O芯片的片选信号至少应由（）条地址线译码后产生。(A)16(B)10(C)4(D)621.采用高速缓存Cache的目的是(B)。(A)提高总线速度（B)提高主存速度　　（C）使CPU全速运行（D）扩大寻址空间22.堆栈的工作方式是(D)。（A）先进先出（B）

6、随机读写　　（C）只能读出，不能写入（D）后进先出23.EPROM是指(D)。（A）随机读写存储器（B）可编程只读存储器　　（C）只读存储器（D）可擦除可编程只读存储器24.连续启动两次独立的存储器操作之间的最小间隔叫（ A  ）。（A）存取时间   （B）读周期   （C）写周期   （D）存取周期25.对存储器访问时，地址线有效和数据线有效的时间关系应该是（  C ）。（A）数据线较先有效   （B）二者同时有效   （C）地址线较先有效   （D）同时高电平26．微机的内存器可用（A）构成。（A）RAM和ROM（B）硬盘（C）软盘（D）光盘27．和外存储器相比，内存储器的特点是（C〕。（

7、A）容量大、速度快、成本低（B）容量大、速度慢、成本高（C）容量小、速度快、成本高（D）容量小、速度快、成本低28．若内存容量为64KB，则访问内存所需地址线(A)条（A）16（B）20（C）18（D）1929． 若用6264SRAM芯片（8K×8位）组成128KB的存储器系统，需要（A）片6264芯片。（A）16（B）24（C）32（D）6430．若内存容量为64KB，则访问内存所需地址线(