新编磷扩散工艺文件(标准)

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1、工艺文件Φ50mm双极IC芯片生产线名称磷扩散通用工艺规范编号批准磷扩散1工序目的在硅片上定域地扩散所需的磷杂质,形成磷穿透制作晶体管的发射区等。2工序工艺流程图2.1磷桥扩散流程图产品流程工作项目清洗后芯片接收做样片磷桥预扩p磷桥R□测量磷桥再扩散前的处理基区或高硼氧化Pp表面检验送光刻工序2.1发射区扩散流程图（G—关键工序）辅助流程产品流程工作项目清洗后芯片的接收做样片样片处理p发射区扩散(G)测β.BVceo及表面检验Qβ值再扩散前处理再扩散送下道工序QP生产检验质量控制点生产记录格式4更改标记数量更改单号签名日期拟制Φ50mm双极IC芯片生产线磷

2、扩散通用工艺规范Q/ER0.350.004(A)-2007审核标准化第1张共5张批准3工艺条件及工艺参数a)ECL、LS、S系列工艺条件和工艺参数见附件1b)ECL、LS、S系列磷扩散工艺卡见附件14工艺控制4.1工序检测项目及检测方法4.1.1LS系列磷扩散工序检测项目及检测方法项目检测设备仪器频次要求磷桥扩散后的R□SDY-4D型四探针测试仪１次／批R□=（8.5±1）Ω/□（特殊品种见附件1）表面状况显微镜5片/批表面光亮，氧化层均匀、无合金点发射区后的β值TYPE576、QT2图示仪每片β=80±10（特殊品种见附件1）BVceoTYPE576、Q

3、T2图示仪每片BVceo≥5.5V(5.5V下漏电流小于1uA)4.1.2S系列磷扩散工序检测项目及检测方法项目检测设备仪器频次要求磷桥扩散后的R□SDY-4D型四探针测试仪１次／批R□=（4.5±0.5）Ω/□（特殊品种见附件1）表面状况显微镜5片/批表面光亮，氧化层均匀、无合金点发射区后的β值TYPE576、QT2图示仪每片β=40±10（特殊品种见附件1）BVceoTYPE576、QT2图示仪每片BVceo≥5.5V(5.5V下漏电流小于1uA)4.1.3ECL系列磷扩散工序检测项目及检测方法项目检测设备仪器频次要求磷桥扩散后的R□SDY-4D型四探

4、针测试仪１次／批R□=（4.5±0.5）Ω/□（特殊品种见附件1）表面状况显微镜5片／批表面光亮，氧化层均匀、无合金点发射区后的β值TYPE576、QT2图示仪每片β=130±10（特殊品种见附件1）BVceoTYPE576、QT2图示仪每片BVceo≥5.5V(5.5V下漏电流小于1uA)5工艺管理5.1工作环境要求室温：20℃～25℃，湿度：35%～50%洁净度：≤10000级，风速：≥0.2m/s拟制更改标记数量更改单号签名日期审核格式（4a）Q/ER0.350.004(A)-2007第2张5.2动力条件控制去离子水电阻率≥15MΩ.cm；氮气含水量

5、：≤5ppm氮气含氧量：≤5ppm；氧气含水量：≤10ppm5.3扩散炉的性能规格5#扩散炉管、H系统炉管内径：（148～154）mm；使用温度：（350～1200）℃；恒温区：60cm5.4设备参数的监控和控制a)设备系统检查每班一次，由各班操作人员填好点检表,技术员检定；b)恒温区的测量：由操作人员1次/半月或必要时，做好记录，班组长检定；c)石英器皿的清洗：由操作人员1次/半月或必要时，做好记录，班组长检定；d)石英管的清洗：由操作人员1次/2月或必要时，做好记录，班组长检定；e)清洗石英管、校验恒温区、更换磷源、设备维修或本工序停产超过5天（含5天

6、）时，当本工序生产恢复正常后，本工序必须进行首批检验，检验项目为：β值、R□值、氧化层厚度及表面，由班组长做好记录；f)当扩散检验员在抽检时，发现质量问题或首批检验时，应对此批片子按检验标准实施100%检验；g)填写并保持质量记录，保证可追溯性。5.5材料的监控和控制a)磷源(POCl3)使用前,必须有检验部门的鉴定标志、合格证、批号、生产日期、有效期限；b)经本工序按工艺要求做试验，R□及表面正常时，才能使用；c)在（0～8）℃的冰箱内存放好磷源，并做好记录。6质量管理6.1设置磷扩散工序质量控制点,对工艺、设备参数指标和产品主要性能指标进行监控和控制。

7、磷扩散工序质量控制点设置:发射区的β值6.2工艺参数的监控和控制6.2.1数据的采集和计算a)每天将发射区扩散后的芯片，用晶体管测试仪进行测试。每批抽测5片β值，每片抽测1点，并将实测数据与规范数值的商作为抽样数据值，并记录；b)对抽取的数据进行分析和统计量的计算，计算出极差值、平均值、控制线图中心拟制更改标记数量更改单号签名日期审核格式（4a）Q/ER0.350.004(A)-2007第3张线、上、下控制线、Cpk。（通过计算机计算）。当Cpk≥0.7时，本工序处于受控状态；c)计算公式：的控制线：=上控制线：UCL=+下控制线：LCL=-中心线：CL=

8、Cpk=R的控制线：=上控制线：UCL=D4中心线：CL=下控制线