led芯片知识大了解

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1、LED芯片知识大了解目录一LED芯片基本知识21、LED芯片的概念22、LED芯片的组成元素23、LED芯片的分类2二LED衬底材料41、LED衬底材料的概念及作用42、LED衬底材料的种类4三LED外延片61、LED外延片生长的概念62、LED外延片衬底材料的种类63、LED外延片的检测6一、LED芯片基本知识1、LED芯片的概念LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N

2、型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料，LED主要依靠芯片来发光。LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流程，最终完成如右图的成品-芯片。外延片→清洗→镀透明电极层透(IndiumTinOxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去

3、胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。图1外延片成品示意图2、LED芯片的组成元素LED芯片的元素主要为III-V族元素，主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。3、LED芯片的分类1）按发光亮度分A、一般亮度：R(红色GaAsP655nm)、H(高红GaP697nm)、G(绿色GaP565nm)、Y(黄色GaAsP/GaP585nm)、E(桔色GaAsP/GaP635nm)等B、高亮度：VG(较亮绿色GaP565nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP58

4、5nm)、SR(较亮红色GaA/AS660nm)；C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIRE、红外线接收管：PTF、光电管：PD2）按组成元素分A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR(较亮红色GaA/AS660nm)、HR(超亮红色GaAlAs660nm)UR(最亮红色GaAlAs660nm)等C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF(较亮红色AlGalnP)、HRF(超亮红色AlGalnP)、URF(最亮红色AlGalnP630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm)、HY(超亮黄色A

5、lGalnP595nm)、UY(最亮黄色AlGalnP595nm)、UYS(最亮黄色AlGalnP587nm)、UE(最亮桔色AlGalnP620nm)、HE(超亮桔色AlGalnP620nm)、UG(最亮绿色AIGalnP574nm)等3）按照制作工艺分LED芯片分为MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4种LED芯片定义特点MB芯片MetalBonding(金属粘着)芯片；该芯片属于UEC的专利产品①采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易②通过金属层来接合(waferbonding)磊芯层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收③导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热

6、传导能力(导热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域④底部金属反射层,有利于光度的提升及散热⑤尺寸可加大,应用于Highpower领域GB芯片GlueBonding(粘着结合)芯片；该芯片属于UEC的专利产品①透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbablestructure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底②芯片四面发光,具有出色的Pattern图③亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)④双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片TStransparentstructure(透明衬底)①芯片工艺制作复杂,

7、远高于ASLED②信赖性卓越芯片芯片，该芯片属于HP的专利产品③透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高④应用广泛AS芯片Absorbablestructure(吸收衬底)芯片,这里特指UEC的AS芯片①四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮②信赖性优良③应用广泛二、LED衬底材料1、LED衬底的概念及作用衬底又称基板，也有称之为支撑衬底。衬底只要是外延层生长的基板，在生产和制作过程中，起到支撑和固定的作用。它与外延层的特性配合要求