hit高效太阳电池简介(宜兴)

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1、HIT高效太阳电池简介(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer)华东光电子科技创新基地2009年7月28日晶体硅太阳电池结构示意图薄膜硅太阳电池的典型结构光照侧p/Ia-Si5~10nmi/na-Si5~10nmN型晶体硅156X156200um厚HIT电池结构示意图背光侧StructureConventionalPNPVSurfaceAg/SiN/c-Si(n)/c-Si(p)/Al/AgBacksideHeteroJunctionPVSurfaceAg/TCO/a-S

2、i(p)/a-Si(i)/c-Si(n)/a-Si(i)/a-Si(n)/TCO/AgBacksideHIT高效太阳电池特点(光照侧)P/I非晶硅薄膜和(背面侧)I/N非晶硅薄膜夹住N型单晶硅片;两侧顶层形成透明的电极(TCO)电池对称结构,双面受光;非晶硅/单晶硅电池的结合,吸收太阳光谱范围宽;非晶硅PN结,能在200℃以下低温下沉积;HIT电池制作过程N型硅片(200um,1Ωcm)表面织构化;用PECVD在晶硅正面沉积i/P非晶硅;用PECVD在晶硅背面沉积i/N非晶硅;用溅射技术在电池两面沉积透明T

3、CO;用丝网印刷技术在TCO上制作银电极;WAFERINProcessSawDamageEtchingTextureEtchingApparatusofWettreatmentCarrierlifetime100μs～nlayera-SiDepositionilayera-SiDepositionplayera-SiDepositionilayera-SiDepositionApparatusofPlasmaCVDWaferTemperature~200℃ProcessTesting&AssembleaMo

4、dule(samewithconventionalc-SiPV)ElectrodeTCODeposition(Surface)TCODeposition(Backside)ApparatusofTCOdepositionApparatusofElectrodeprintingProcess为什么HIT电池具有高的转换效率?所有制作过程都低于200℃，不会因高温杂质扩散而影响载流子寿命；双面制结,可充分利用背面光线;采用N型硅片,其载流子寿命远大于P型硅;硅片薄,有利于载流子穿过衬底被电极吸收;表面织构化,可

5、降低对太阳光的反射;表面沉积非晶硅,吸收太阳光系数大;PECVD沉积过程中产生原子氢可对晶界进行纯化.异质结,开路电压高.HIT电池优点集中了非晶硅薄膜电池和晶体硅高迁移率的优势.制备工艺简单。温度系数仅是晶硅太阳电池的一半(-0.2%/℃).双面结构在任何角度都可以增加光吸收,通常水平安装时发电效率可高出10%;垂直安装时可高出34%.三洋公司已在大面积上获得21%的高效率.具有实现高效率和低成本硅太阳电池的发展前景;HIT电池商业化发展很快,已占整个光伏市场的5%.HIT电池的技术关键高质量非晶硅膜的生

6、成;单晶硅表面织绒结构TCO膜的光吸收薄膜化(薄片化);多结高效化属于日本三洋公司的专利;非标准制程设备;华东光电子创新基地的HIT项目规模：40MW主厂房面积：3084平方米位置：《技术中心》1#1F技术来源：日本高科技系统株式会社华东光电子创新基地投资资金：2.5~3亿人民币Thankyou!