第一章 记忆与遗忘

《第一章 记忆与遗忘》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、额叶、顶叶、枕叶和颞叶外侧裂以上中央沟之前为额叶，中央沟之后枕顶沟之前为顶叶，枕顶沟之后为枕叶，外侧裂之下为颞叶。额叶以躯体运动功能为主，中央前回是躯体运动中枢，顶叶以躯体感觉功能为主，中央后回是躯体感觉中枢，枕叶以视觉功能为主，颞叶以听觉功能为主。布洛卡区：法国医生布洛卡发现的，病人出现言语表达的问题。左半球额下回靠近外侧裂的部位发生病变。这个部位是主管说话机能，叫言语运动中枢。容易出现表达性失语症。威尔尼克中枢：德国学者威尔尼克发现，位于顶、枕、颞叶交会处的颞上回受到损伤，容易出现接受性失语症这一部位叫言语听觉中枢。视觉性

2、言语中枢：位于顶、枕叶交会处的角回是主管阅读的。出现病变容易出现失读症。书写性言语中枢：位于额中回靠近中央前回的地方是主管书写功能的。容易出现失写症。突触（synapse）两个神经元之间或神经元与效应器细胞之间相互接触、并借以传递信息的部位。也是用以表示中枢神经系统神经元之间相互接触并实现功能联系的部位。大脑突触的发展阶段：0—6岁生长70%的突触6—9岁生长10%的突触9—12岁生长10%的突触12岁后生长10%的突触自然界和生活中随处可见的各种图象、动作、现象、颜色、声音、语言、感触等等包罗万象的不同形式,都是有效激发孩子

3、大脑神经突触联接的有效途径!科学证明:3--8岁的儿童是其思维模式建立和创造力培养发展的关键时期!左脑称为“学术脑”：主要负责语言、逻辑、数学、顺序、分析等功能，简单地说就是运用逻辑思维把事情调理化，在幼儿时期，通过训练孩子从小就可以背诵诗词，学习生字，练习简单数字加减法等知识类都能刺激孩子的左脑发育。右脑又称“艺术脑”：主管创造力、想象、情感、韵律、节奏、图画。换个说法，孩子是否具有创造力和想象力，右脑起到重要作用，通过合理的艺术训练（非传统的技能技法训练）可以对右脑激活有帮助，但是创造力的培养还是右脑开发的核心关键。因为这

4、一重要能力--创造力是超越一切的能力，创造力所带来的价值也是最无法估量、无法复制、无法替代的，所以成熟社会对于创造力的培养已是每一个家庭所普遍关注的重点问题。突触前细胞借助化学信号，即神经递质，将信息转送到突触后细胞者，称化学突触；借助于电信号传递信息者，称电突触。根据突触前细胞传来的信号，是使突触后细胞的兴奋性上升或产生兴奋还是使其兴奋性下降或不易产生兴奋，化学和电突触都又相应地被分为兴奋性突触和抑制性突触。结构化学突触或电突触均由突触前、后膜以及两膜间的窄缝──突触间隙所构成，但两者有着明显差异。胞体与胞体、树突与树突以及

5、轴突与轴突之间都有突触形成，但常见的是某神经元的轴突与另一神经元的树突间所形成的轴突－树突突触，以及与胞体形成的轴突-胞体突触。当轴突末梢与另一神经元的树突或胞体形成化学突触时，往往先形成膨大，称突触扣。扣内可见数量众多的直径在30～150纳米的球形小泡，称突触泡，还有较多的线粒体。递质贮存于突触泡内。一般认为，直径为30～50纳米的电子透明小泡内贮存的是乙酰胆碱(Ach)或氨基酸类递质。有些突触扣含有直径80～150纳米的带芯突触泡和一些电子密度不同的较小突触泡，这些突触泡可能含有多肽。那些以生物胺为递质的突触内也含有不同电

6、子密度的或大或小的突触泡。突触膜增厚也是化学突触的特点。化学突触的传递冲动传到突触前末梢,触发前膜中的二价钙离子（Ca2+）通道开放，一定量的Ca2+顺浓度差流入突触扣。在Ca2+的作用下一定数量的突触泡与突触前膜融合后开口，将内含的递质外排到突触间隙。此过程称胞吐。被释放的递质，扩散通过突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，形成递质受体复合体，触发受体改变构型，开放通道，使某些特定离子得以沿各自浓度梯度流入或流出。这种离子流所携带的净电流，或使突触后膜出现去极化变化，称兴奋性突触后电位(EPSP)，或使突触后膜出现

7、超极化变化，称抑制性突触后电位(IPSP)。至今尚未发现兴奋性突触与抑制性突触在精细结构上的特征性区别,有人报道含圆形突触泡者为兴奋性突触,含椭圆形突触泡者为抑制性突触，但尚未得到进一步证实。高等动物中枢每一突触后神经元上通常形成大量的突触（包括兴奋性和抑制性的），猫脊髓前角的一个运动神经元胞体上形成1200～1800个突触，约占据神经元胞体表面的38％。神经元通过对EPSP和IPSP进行空间总和（即对在神经元不同位置上出现的EPSP和IPSP进行总和）和时间总和（即对每个突触重复发生的突触后电位进行总和），以决定它产生兴奋还

8、是抑制。总和后，如兴奋性突触后电位达到阈值，便触发动作电位。在突触传递中递质一旦释放，无论是否已与受体结合，便又迅速地被分解或被重吸收到突触扣内或扩散离开突触间隙，使突触得以为下次传递作好准备。第三节短时记忆系统短时记忆是指外界刺激以极短的时间一次呈现后，保持时间在1分钟以内