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时间:2018-07-28
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1、小《模拟电子技术》练习填空1.半导体是一种导电能力介于________与________之间的物质。2.当外界温度、光照等发生变化时,半导体的______能力会发生很大变化。3.在半导体中,参与导电的不仅有_________,而且还有_______,这是半导体区别导体导电的重要特征。4.N型半导体主要靠_______导电,P型半导体主要靠______导电。5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极,N区接电源的_____极。6.PN结加正向电压时______,加反向电压时________,这种特性称为PN结的______________________________。7.整流二极管
2、的最主要特性是__________,使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。8.在常温下,硅二极管的死区电压约为______V,导通后在较大电流下的正向压降约为________V,锗二极管的死区电压约为_______V,导通后在较大电流下的正向压降约为_______V。9.当加在二极管两端的反向电压过高时,二极管会被________。10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端,当测得的电阻值较小时,黑表笔所接触的一端是二极管的________极。11.电路如图所示,试确定二极管是正偏还是反偏。设二极管正偏时的正向压降为0.7V,估算UA~U
3、D值。图a:VD1_______偏置,UA=_____,UB=_______;图b:VD2________置,UC=_____,UD=_______。12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压UAB(设二极管均为理想二极管)图a:VD_______,UAB_______。图b:VD_______,UAB_______。图c:VD_______,UAB_______。图d:VD1_______,VD2_______,UAB_______。13.硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管,在实际工作中,为了保护稳压管,需在外电路串接15_________。I4.
4、晶体三极管(简称三极管或晶体管)是由两个PN结构成的一种半导体器件,从结构上看可以分为_______和_________两大类型。15.三极管具有电流放大作用的内部条件是:(l)_____区很薄;(2)_______区的多数载流子的浓度较高;(3)_______结的面积较大。I6.三极管具有放大作用的外部条件是:(l)_______结正向偏置;(2)________结反向偏置。17.三极管的工作有赖于两种载流子——自由电子和空穴,因此又称它为_______晶体三极管。18.PNP型三极管处于放大状态时,三个电极中____极电位最高,____极电位最低。19.三极管的电流放大作用是指三极管的
5、______电流约是_____电流的β倍,即利用_____电流,就可实现对_____电流的控制。20.三极管正常放大时,发射结的导通压降变化不大,小功率硅管约为_____V,锗管约为______V。21.三极管在放大区的特征是当IB固定时,IC基本不变,体现了管子的______特性。22.三极管的输出特性曲线可分为三个区域。当三极管工作在_______区时,关系式IC≈βIB才成立;当三极管工作在______区时,IC≈0;当三极管工作在_______区时UCE≈0。23.若某三极管的管压降UCE保持不变,当测得IB=30μA时,Ic=1.2mA,则发射极电流IE=______mA;如果I
6、B增大到50μA时,Ic增加到2mA,则三极管的电流放大系数β=_______24.下图所示的各晶体管电极上的实测对地电压数据中,分析各管的情况。11.3V图a中管子工作在区,图b中管子工作在区,图c中管子工作在区,图d中管子工作在区。25.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中。(可不限一种)(1)希望电压放大倍数大,可选用______________组态。(2)希望既能放大电压,又能放大电流应选用_________________组态。(3)希望输出电压与输入电压同相,可选用______________组态。(4)希望带负载能力强,应选用_________________组态。(5)
7、希望从信号源索取的电流小,应选用_______________组态。26.多级放大器常用的级间耦合方式有___________、____________、和___________三种形式。27.在多级放大电路中,后级的输人电阻是前级的___________,而前级的输出电阻则可视为后级的______________。28.集成运算放大器(简称集成运放)是一种采用_________耦合方式的多级放大电路,一般由四部分组成,
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