中兴通讯股份有限公司企业标准(检验和试验方法技术标准)

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1、REF标准号*MERGEFORMATQ/ZX12.209–20054http://made.21ask.com中管网制造业频道Q/ZX中兴通讯股份有限公司企业标准(检验和试验方法技术标准)Q/ZX12.209–2005无铅元器件认证技术要求2005-03-15发布2005-04-01实施中兴通讯股份有限公司发布目次II前言11范围12规范性引用文件23术语和定义24无铅元器件认证技术要求24.1无铅元器件的包装及存储期限标准54.2潮湿敏感要求64.3防静电要求74.4引脚/端子表面镀层要求84.5表面贴装无铅元器件共面度要求84.6无铅元器件封装要求94.7无

2、铅元器件的组装工艺要求94.8涂覆和清洗要求94.9无铅元器件的可靠性要求前言本标准属于中兴通讯股份有限公司绿色产品标准中的无铅元器件认证部分。为了规范中兴通讯股份有限公司在无铅元器件选型和采购过程中的工艺性要求,包括外观包装、潮湿敏感、应用工艺以及使用的可靠性等要求,特编制本标准。中兴通讯股份有限公司康讯工艺技术部负责维护本标准。本标准最终解释权归中兴通讯股份有限公司。本标准由中兴通讯股份有限公司康讯工艺技术部提出,技术中心规划发展部归口。本标准起草部门:康讯工艺技术部。本标准主要起草人:朱建贾变芬。本标准于2005年3月首次发布。无铅元器件认证技术要求范围本标

3、准规定了无铅(LeadFree)元器件检验、测试以及可靠性试验验证等方法。本标准适用于中兴通讯股份有限公司终端产品无铅元器件的认证。规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修改版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。Q/ZX12.208禁止和限制使用的环境物质要求DINEN60068-2-27ShockEIA-418-ATapingofSurfaceMountComponentsfor

4、AutomaticPlacementEIA-625RequirementforHandlingElectronic-Discharge-Sensitive(ESDS)DevicesIPC-1066Marking,Symbols,andLabelsforIdentificationofLead-FreeandOtherReportableMaterialsinLead-freeAssemblies,Components,andDevicesIPC-9503MoistureSensitivityClassificationforNon-ICComponentsIPC-

5、9701PerformancetestmethodsandqualificationrequirementsforsurfacemountsolderattachmentsJ-STD-020Moisture/ReflowSensitivityClassificationofPlasticSurfaceMountDevicesJ-STD-033standardforhandling,shipping,anduseofmoisture/reflowsensitivesurfacemountdevicesIPC-SM-786AProceduresforCharacter

6、izingandHandlingofMoisture/ReflowSensitiveICIEC68-2-35Randomvibrationbroad-band–highreproducibilityIEC68-2-69SolderabilitytestingofelectroniccomponentsforsurfacemountingtechnologybythewettingbalancemethodsIEC286TapingofSurfaceMountComponentsforAutomaticPlacementJESD22-A104TemperatureC

7、yclingJESD22-A106ThermalshockJESD22-B102-DSolderabilityJESD22-B103Vibration,VariableFrequencyJESD22-B104MechanicalShockJESD22-B110SubassemblyMechanicalShockJESD22-B111BoardleveldroptestmethodofcomponentsforhandheldelectronicproductsJESD22-B117BGABallShearJESD97Marking,Symbols,andLabel

8、sforI

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