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1、国外红外探测器材料技术新进展本文由smdxglx贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。第32卷第3期2009正兵器材料科学与工程0RDNANCEMATRICEEALSINCEANDENGNEIERIGNV0.2N.1o33Ma,20y095月国外红外探测器材料技术新进展郭瑞萍李静,葆森,孙(.方科技信息研究所,京108;.1北北0092中国兵器科学研究院宁波分院,江宁波350)浙113摘要红外探测器材料是光电子材料的重要一类,近十几年来受到国内外学者的广泛关注和研究.综述美,法等国
2、有关碲镉汞,子阱制冷型红外探测器材料以及非晶硅,O,量V氧化物晶体,热释电陶瓷等非制冷红外探测器材料的研究现状,对它们各自的特点及发展作了较为详细的评述.可以预测,色,规格,质外延碲镉汞薄膜材料和低成本,灵敏度非多大异高制冷材料是红外探测器材料技术的主要发展方向.关键词碲镉汞;子阱;量综述;制冷;非红外探测器材料中图分类号T1N2文献标识码A文章编号10—4X(09)309—30424200—060NweeometorinifaeeetrmaeacnlgedvlpnfoegrrddtcotrlthooyfnieGURiig,Iig
3、,UNBasnOupnLn.SoeJ(.ohIsttfrcnic&TcnlgfmtnBin009Cia2igornhohncdmyf1rtueoitiNtniSefehooyIoai,ei108,hn;.nbacfiaAaenrojgNBCoOdaccec,igo350CiarnneSineNnb113,hn)AbtcIfrddtcotrlioeknfionpolcrncmaeilwhcaenwdlocrensrtnreeetrmaeisnidomp~atoteetitraihhsbeieycnendadaaaosuidbosia
4、doesaeerhrnrcn0yasTiatleiwhrsnesaeiainoCT.tdeydmetnvresrsacesieet1er.hsrcervestepeetaerhsutfcirtoHgdeQatmWeolfrddttaeaadscnolfrecraeaaaohuicnVoiunlcoeireecrtlnhucodiredtttrlsmrossi,O,xeuldnaeomriuenadeomiplodcytlyolcreacihnrneecTecaatrtsaddvlpnfhmaebeiusdIirsa,preetic
5、rminteUSadFact.hhrcesineeometoehvendsse.tscictcpitdtal—oo,lrefrteeoptxaHgdetilmaeanocs,hgesieucotraonehtmutclragoma,htreiilCThnfmtrladlwotihsnivnolmaeiiaiitlwietedvlpnicinoeifaeeetrtr1lbheeometrtfhrrddtcoea.ldeotnmaiKywrsHgdeQPrviucodifrddttarleodCT;WI;eew;nol;reecrti
6、senaeomea在现代战争所用电子装备中,红外热成像技术对提高夜视,防空和侦察能力起着十分重要的作用.20世纪7O年代末期和8O年代初研制的第一代HCTgde光导通用组件在军事电子装备中得到了广泛应用,目前正面临着进一步提高性能和降低成本的要求.为满足夜视,控,火侦察,监视,精确制导和光电对抗等军事应用.需要发展高密度的第二代焦平面探测器和第三代大规格,多色,非制冷的焦平面探测器,这对红外探测器及其材料提出了新的更高的要求,必须提高原有探测器材料的性能,并开发新型的材料.目前,国外主要发展的红外探测器材料有碲镉汞红外探测器材料,
7、量子阱红外探测器材料以及非制冷型红外探测器材料.广泛,最重要的材料.早期的碲镉汞材料使用体单晶技术制备.自2但0世纪8O年代国外已开始把碲镉汞材料的生长重点由体材料转向了外延薄膜材料.近年来随着分子束外延技术的迅速发展.gde膜材料也取得了较大的进HCT薄展,主要体现在大规格S,e底碲镉汞薄膜材料以iG衬及多色异质外延碲镉汞薄膜材料技术方面.以适应红外焦平面器件对材料的大面积,匀,均高性能,色的多要求,当前红外探测器材料技术研究的重点和热点.是11以硅,为衬底的大规格碲镉汞薄膜材料.锗传统的碲锌镉衬底无法实现大面积(晶片直径最大约
8、6I,碲镉汞薄膜的尺寸限制在3m221m)将T0c.而且碲锌镉衬底与硅读出集成电路(OC)RI的热膨胀系l碲镉汞(gde红外探测器材料HCT)碲镉汞(gd)H是直接带隙半导体,在制备过数不匹配,无法满足第三代红外探测器应用要求.因此在过去的十几年中
