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1、红外探测器技术发展袁继俊(华北光电技术研究所,北京100015)主要讨论的几个问题1、红外探测器从分立型器件到焦平面阵列2、探测器“代”的划分问题3、HgCdTe和AlGaAs/GaAs的比较4、超晶格结构材料5、焦平面阵列关键技术6、应该大力发展成像传感器1、引言红外探测技术是信息获取的主要手段之一,红外系统的核心是红外探测器;单元、多元线列和小规模面阵器件技术已经成熟,已经由分立型器件发展为集成化的焦平面阵列;红外器件水平的提高和新一代器件的出现,就会使红外整机性能大幅提升甚至更新换代,所以有“一代器件、一代整机、一代装备”之说。2、从分立器件到焦平面阵列分立型红
2、外探测器,系指器件单独封装实现光电转换功能,每个探测器元单独输出信号,再与前放等信号处理电路相连,每个器件都形成一个单独的信号通道,其结构如图1所示。图1分立型器件信号输出与前放连接示意图红外焦平面阵列(IRFPA)系指大规模M×N(元)面阵型或4N或6N(元)型探测器芯片与信号处理电路芯片集成互连耦合后,共同封装在一个外壳中,在焦平面上实现光电转换和信号处理,将各元件的光电信号多路传输至一条或几条输出线,以行转移或帧转移的视频信号的形式输出,探测器结构大大简化,包括电源线、驱动电路和信号输出等全部引出线大约只须40条。其结构[1]如图2所示。a.)In柱碰焊和环孔焦
3、平面阵列b)焦平面阵列的探测器和处理电路图2焦平面信号输出示意图与分立型器件相比,红外焦平面阵列的元数可以提高几个数量级,扩展到材料和工艺技术允许的规模。红外焦平面阵列从结构、制造、检测到性能都发生了质的变化,是新一代红外探测器。3、热探测器与非制冷焦平面阵列热型探测器接收红外辐射后,引起灵敏元温度变化而产生信号,对不同波长辐射能量的响应是相同的,即对波长无选择性,在室温工作;与光子型探测器相比,其灵敏度低、响应时间偏长。通常认为响应时间比较快的热电(pyroelectric)探测器,其响应时间也在毫秒量级,探测率为108量级,因此分立式热型探测器无法用于扫描成像,非
4、制冷面阵红外焦平面阵列只能凝视成像使用。热型探测器用于凝视成像用可以和电视兼容的每秒25帧成像为例,每帧时间为40ms,对于时间常数为毫秒级的热型探测器来说,凝视成像要求的时间常数已不成问题。非制冷红外焦平面阵列目前已达640×480元,应用最多的是160×120元、320×240元器件。其功能材料主要有:测辐射热计型的无定型硅(a-Si)、氧化钒(VOx)和热电型的锆钛酸铅(PZT)、钛酸锶钡(BST)、旦酸钪铅(PST)等。目前非制冷焦平面热像仪的NETD可达0.1℃,能满足一般工业需要和部分中低端军用需要。4、光子探测器及其焦平面阵列红外光子探测器一般由半导体材
5、料制成,针对应用最广的三个大气透过窗口,发展了1~3μm的短波红外(SWIR)、3~5μm的中波红外(MWIR)和8~14μm的长波红外(LWIR)的探测器。光子探测器灵敏度高,响应快,但大多在低温工作,需要制冷。常用分立式光子探测器如表1所示。表1对应三个大气透过窗口的常用分立式光子探测器光谱响应范围1~3μm3~5μm8~14μm光导型探测器PbS,PbSe,InSb,HgCdTeHgCdTe,Ge:Hg,Si:X光伏型探测器HgCdTe,InSb,HgCdTeHgCdTeInGaAs/GaAlAs表2对应三个大气透过窗口的常用焦平面阵列光谱响应范围1~3μm3~
6、5μm8~14μm焦平面阵列HgCdTe,InSb,HgCdTe,PtSiHgCdTe,AlGaAs/GaAsInGaAs/GaAlAs结构形式4N,凝视;4N,凝视;凝视;4N,凝视;凝视非制冷型a-Si,VOx,PE,凝视应当说明,表中InGaAs/GaAlAs是响应在0.9~1.7um的短波焦平面阵列,此波段一般目标自发辐射较弱,但有成熟的激光光源,主要用于主动探测,近年引起广泛关注。PtSi肖特基势垒型和AlGaAs/GaAs多量子阱其分立器件,与已成熟的InSb、HgCdTe相比,性能明显不足,基本不用作分立式器件使用,如PtSi的量子效率约为百分之一,Al
7、GaAs/GaAs的光谱响应带宽约为~1μm。但由于其外延方法生长的材料,可以面积大、均匀性好、便于制作集成器件,特别是便于与Si信号处理电路工艺兼容或互连耦合,用于焦平面阵列工作时,元数多、积分时间长、可生产性好,其性能潜力得到充分发挥,成为很有前景的焦平面阵列,可以说是集成化的焦平面技术使它们充分发挥出潜在的性能优势。如PtSi焦平面阵列,其光电转换和信号处理芯片可以制作在同一Si片上(单片集成),工艺兼容,目前已达512×512、1024×1024元阵列规模。5、三代红外探测器典型规模[2]目前,红外探测器通常被分为三代[1]。第一代以分立型为