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时间:2017-11-11
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1、“微纳电子技术”2008年第三期专家论坛125-纳米磁多层结构中电流驱动自旋波发射纳米器件与技术131-基于Pspice的RTD等效模型及其应用电路研究136-双色量子阱红外探测器中的耦合光栅140-基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化纳米材料与结构145-纳米TiO2光催化剂的改性及应用研究进展153-GaN基材料及其外延生长技术研究MEMS器件与技术158-高场非对称波形离子迁移谱仪的初步研究162-仿壁虎微米阵列的加工及其粘附作用分析166-直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究显微、测量、微细加工技术与设备170-SU-8胶微结构的显影技术研究174-三维金属ME
2、MS器件电化学制造技术微电子器件与技术179-Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究专家论坛125-纳米磁多层结构中电流驱动自旋波发射陈培毅,胡九宁,任 敏,张 磊,邓 宁(清华大学微电子学研究所,北京 100084)摘要:回顾了纳米磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋波发射等新量子效应的研究现状及发展。基于该效应的纳米磁多层微波振荡器件具有结构简单、无须外加磁场、容易集成等特点,在现代通信领域具有广阔的应用前景,备受国内外研究者的关注。介绍了自旋波发射效应的理论处理方法和实验研究进展,讨论了自旋波发射器件的工作原理和铁磁膜的磁化方向、外磁场方向、大小及
3、驱动电流对器件性能的影响。目前研制的器件的效率较低、振荡功率小,采用新的垂直磁化结构有助于解决上述问题。关键词:自旋波发射;自旋矩传输;巨磁阻;电流驱动;纳米磁多层结构纳米器件与技术131-基于Pspice的RTD等效模型及其应用电路研究杨 倩,任勇峰,沈三民(中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原 030051)摘要:简要介绍了RTD(共振隧穿二极管)的微分负阻特性及其等效电路,通过对实际AlAs/InxGa1-xAs/GaAs双势垒共振隧穿结构I-V曲线拟合,得出RTD的Pspice等效电路模型参数。采用Pspice软件建立了RTD的等效电路模型,并对其微分负阻特性进
4、行了仿真,仿真结果与测试结果基本吻合。利用所建立的模型,对RTD的基本应用电路:反相器、非门、与非门和或非门进行了仿真模拟。结果表明,该类电路能够正确实现其逻辑功能。最后,对基于RTD的振荡电路进行了仿真,仿真频率与实际测试频率处于同一数量级。由于实测电路寄生参数如串联电阻、电容等的影响,仿真结果与测试结果稍有出入。关键词:共振隧穿二极管;Pspice;等效模型;应用电路;振荡电路136-双色量子阱红外探测器中的耦合光栅齐利芳,李献杰,赵永林,尹顺政(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051)摘要:在量子阱红外探测器(QWIP)上制备光栅的目的是对垂直入射的红
5、外辐射进行有效耦合。从实验、测试和有关文献出发,探讨了影响其耦合效率的参数及参数的优化值。重点分析了双色QWIP的光栅设计问题,并从提高双色量子阱红外探测器光栅耦合效率和响应均匀性出发,介绍了一种新型交叉组合二维双周期结构光栅的设计方法;以一种具体AlGaAs/GaAs双色量子阱红外探测器为例,模拟了对应的交叉组合二维双周期结构光栅的几何参数和耦合强度,并与传统的二维双周期光栅结果对比,显示了新型双周期结构光栅在提高光耦合强度方面的优越性。关键词:量子阱红外探测器;耦合效率;光栅设计;双色;双周期140-基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化吴胜龙,刘 岩,赵守磊,李惠军
6、,于英霞,张宪敏(山东大学孟堯微电子研发中心,济南 250100)摘要:介绍了SynopsysInc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--SentaurusWork-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集成化管芯的设计过程中,围绕Vt进行了可制造性设计,利用DOE试验方法和RSM对Vt进行了优化,得到了阈值电压(Vt)和调阈值注入剂量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑制穿通注入剂量(PNCH_Dose)、能量(
7、PNCH_Energy)之间的RSM响应表面关系。在此基础上,分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系,从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取。关键词:纳米层次;可制造性设计;虚拟工厂;工艺优化;集成电路纳米材料与结构145-纳米TiO2光催化剂的改性及应用研究进展曹沛森1,许 璞2,王玉宝2,乔青安2,毛伟鹏2,唐 荣2,高善民2(1.潍坊职业学院化学工程系,山东 潍坊 261031;2.鲁东大学化学与材料科学学院,山东 烟台 264025)摘要:对纳米TiO2的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述,重点
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