太阳能电池用硅单晶切割片标准

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1、GB/T××××—××××中华人民共和国国家质量监督检疫总局中国国家标准化管理委员会发布××××-××-××实施XXXX-XX-XX发布太阳能电池用硅单晶切割片Monoccrystallinesiliconascutwafersforuseasphotovoltaicsolarcells（讨论稿）GB/T—2009Q/TGDZ001-200中华人民共和国国家标准ICSGB/TICSGB/T5GB/TXXXX—200×前言本标准参照国际半导体材料和设备组织SEMIM6-1000《太阳能光电池用硅片规范》及我国GB/T××××《

2、太阳电池用硅单晶》、GB/T12965-2005《硅单晶切割片和研磨片》，结合我国产品质量实际情况及国内外用户使用情况，并考虑国际上硅材料的发展和现状进行制定的。本标准由中国有色金属工业总公司提出本标准由中国有色金属工业总公司归口。本标准由万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。本标准主要起草人楼春兰、郑辉、曹宇、蒋建国、孙世龙、黄笑容、袁文强、朱兴萍、方强、汪贵发。本

3、标准为首次发布。IIIGB/TXXXX—200×太阳能电池用硅单晶切割片1.范围本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片的要求、试验方法、检测规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同（或订货单）内容。本标准适用于直拉掺杂制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。2.规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适用于本标

4、准。GB/T××太阳电池用硅单晶GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命光电导衰减法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅晶体中代位碳含量的红外吸收测量方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化的测试方法GB/T6620硅片翘曲度的非接触式测试方法GB/T

5、2828逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T14140.2硅片直径测量方法千分尺法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示法SEMIM6太阳能光电池用硅片规范SEMIMF1535用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法5GB/TXXXX—200×3术语GB/T14264确立的术语和定义适用于本标准。线痕：硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。4要求4.1产品分类硅单晶片按导电类型分为P型、N型两种类型；按外形可分为

6、圆形和准方型硅单晶切割片。4.2规格硅单晶片按尺寸分为F150mm、和F200mm，□125mm×125mm、□156mm×156mm，或由供需双方商定规格。4.3尺寸及允许偏差4.3.1硅片厚度和厚度偏差硅片厚度应在150μm-240μm的范围。但用户有特殊要求时，由供需双方商定。表1　太阳能硅片厚度和厚度偏差硅片厚度（中心点）/μm160180200220240厚度允许偏差/μm±20±20±20±20±204.3.2圆形太阳能用硅单晶硅切割片4.3.2.1直径及其允许偏差供太阳能电池用的圆形硅单晶切割片直径和允许偏差要

7、符合表2规定。表2太阳能硅单晶片直径及允许偏差单位：mm类别直径范围直径允许偏差标称直径150±0.5200±0.54.3.2.2总厚度变化（TTV）≤30μm。4.3.2.3翘曲度≤75μm。4.3.2.4弯曲度≤50μm。4.3.3准方形太阳硅用硅单晶切割片4.3.3.1准方型硅单晶切割片的几何尺寸：见图1、表3。5GB/TXXXX—200×图1太阳能电池用准正方形硅单晶切割片尺寸表3太阳电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸标称尺寸（mm）尺寸（mm）AaBaCaDa最大最小.最大最小最大最小最大最小125×125125.50

8、124.50150.50149.5084.5681.2422.1319.97156×156156.50155.50200.50199.50126.57123.7316.3914.46a字母在图1中标出4.3.3.2总厚度变化（TTV）≤30μm。4.3.3.3翘曲度≤75μm。4.3.3.