GBT12965-2005 硅单晶切割片和研磨片.pdf

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1、ICS29.045H82巧昌中华人民共和国国家标准GB/T12965-2005代替GB/T12965-1996硅单晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices2005-09-19发布2006-04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局.*中国国家标准化管理委员会.of,-iiGB/T12965-2005月U吕本标准的指标参照了国外有关标准(见参考文献)，结合我国硅材料的实际生产和使用情况，并考虑国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行修订而成的。本标准代替

2、GB/T12965-19960本标准与GB/T12965-1996相比，有如下变动:—增加了150mm,200mm的切割片和研磨片的相关内容;—根据近年来国内硅单晶的发展情况，并参照国际标准的相关内容修改了(125mm切割片和研磨片的标准;—增加了“术语”;一一删除了原标准中的$63.5mm的产品参数一项;-一一在切割片和研磨片厚度中增加了注1，由供需双方根据需要制定厚度要求;一一对150mm的切割片和研磨片规定了两种主副参考面的位置，即与主参考面成1800和1350两种;—对200mm切割片和研磨片规定了两种:由切口的和有参考面的(仅有

3、主参考面而无副参考面)，表征参考面尺寸采用主参考面直径;—增加了对倒角后边缘轮廓的要求本标准应与GB/T12962,GB/T12964配套使用。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准由北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。本标准主要起草人:孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:-GB/T12965-1991;—GB/T12965-1996标准分享网www.bzfxw.com免费下载GB/T

4、12965-2005硅单晶切割片和研磨片1范围本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉1悬浮区熔和中子嫂变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成抛光片.2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注年代的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注

5、年代的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T155。非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/丁2828.1计数抽样检验程序第一部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T662。硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的

6、测量方法GB/T12962硅单晶GB/T12964硅单晶抛光片GB/T13387电子材料晶片参考面长度测试方法GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T1414。硅片直径测量方法(所有部分)GB/T14844半导体材料牌号表示方法YS/T26硅片边缘轮廓检验方法3术语下列术语适用于本标准。3.1主参考面直径primaryflatdiameter从主参考面的中心沿着垂直主参考面的直径，通过硅片达对面的边缘周边处的直线长度。参见GB/T12964.3.2硅片切口notchonasiliconwafer在硅片上加工的具有规定形

7、状和尺寸的凹槽。参见GB/T12964。切口由平行规定的低指数晶向并通过切口中心的直径来确定。该直径又称取向基准轴。3.3合格质f区(FQA)fixedqualityarea标称边缘除去X后，所限定的硅抛光片表面的中心区域，该区域内各参数的值均应符合规定值。GB/T12965-20054产品分类4.1分类硅片按导电类型分为N型,P型两种类型，按硅单晶生长方法分为直拉(CZ)和悬浮区熔(FZ)和中子擅变掺杂三种规格。4.2牌号硅片的牌号表示:按GB/T14844规定。4.3规格4.3.1硅片按直径分为050.8mm,076.2mm,0100

8、mm,0125mm,0150mm和丸00mm六种规格。4.3.2非标准直径要求由供需双方协商提供。5技术要求5.1物理性能参数硅片的导电类型、掺杂剂、电阻率及径向电阻率变化、少数载流子寿命、氧