asy-ae弹坑作业与判别指导书_

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1、ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08弹坑实验与判别作业指导书InternaluseonlyxConfidentialRevision:00Page12of6TopconfidentialREV.EFFECTIVEDATEDESCRIPTIONAPPROVECHECKORIGINATOR008/08/2008InitialIssueJinhuachen谈红英沈海军ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandal

2、lunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08弹坑实验与判别作业指导书InternaluseonlyxConfidentialRevision:00Page12of6Topconfidential一、目的：测试键合焊接对产品质量产生的影响，保证产品质量。二、适用范围：1.所有MOSFET芯片系列产品；2.控制计划要求做弹坑试验的产品。三．作业频率：1．每周一键合现作业的产品都要做弹坑，2．新产品改机后应

3、及时作业弹坑试验，3．调用程序的产品可在做弹坑的同时开机作业，若弹坑不良请统计数量，批次。四．弹坑试验作业及判断方法1盐酸溶液试验〔主要适用于Mosfet产品，如附图1所示〕ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08弹坑实验与判别作业指导书InternaluseonlyxConf

4、identialRevision:00Page12of6Topconfidential　　　　　　　　　　〔附图1〕1.1将浓度为36％盐酸与水以1：2.5稀释后加热至80±5°c1.2将焊线剪切后的制品完全浸入溶液浸10-15分钟，剪切方法如下图：沿框架管脚边缘（箭头所示位置）用锋利的刀片剪切，剪切之后的制品必须在实体显微镜下确认第一焊点金球状况，防止因线弧较短时或者剪切不当将金球带起，引起弹坑。割线后的制品，需用拨针将金线沿载片台边缘〔金球远端〕将金线轻轻挑起，防止金线黏附在载片台上，操作过程中绝对禁止金球受力。〔附割线后/拨线后图片〕　　　　　　　割线后产品　　　　　　

5、　　　拨线后产品1.3ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08弹坑实验与判别作业指导书InternaluseonlyxConfidentialRevision:00Page12of6Topconfidential将已腐蚀干净的制品分别放入水与酒精中，各用超声波清洗3～5分钟，然

6、后晾干或吹干。注意：l在整个作业（包括清洗）过程中，不可以将制品用力在溶液中晃动。l不可以采用任何拔线方式去除未腐蚀掉的焊线。1.4将晾干后的制品在200倍或200倍以上显微镜下进行判定并填写《弹坑试验记录表》1.5配置的溶液使用12小时必须更换，即溶液使用期限为12小时。1.6产品检验判定方法←OK←NGThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTe

7、chnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08弹坑实验与判别作业指导书InternaluseonlyxConfidentialRevision:00Page12of6Topconfidential具体内容图例（实物图）弹坑判断标准劈刀压着处无裂纹、变形时OK.(右图)OKOKNGNG2氢氧化钾溶液试验〔主要适用于IC电路产品，如附图2所示〕　　　　　　　　　　　图2〕2.1在量杯中，用电子称称取适量氢氧化钾2.2以1：10的比例，用水溶解氢氧化钾后加热至80±5°cThisdoc