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1、SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺造堡鱼堇:鎏国丑Sill2Cl2一NH3一N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺李学文,彭志坚(1.国防科学技术大学湖南长沙,410000;2.中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111)摘要:以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调节淀积温度,工艺气体流量,工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性,应力,耐腐蚀等
2、方面均达到了使用要求.关键词:氮化硅薄膜;LPCVD;工艺温度;工艺压力;气体流量;均匀性中图分类号:TN305.5文献标识码:A文章编号:1004.4507(2008)12.0030—04TheSill2CI2一NH3一N2SystemLPCVDCraftofSiN4FilmXUEWenli,ZHIJianpeng2(1,The48thresearchinstituteofCETC[1,2]410111,ChiSiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺造堡鱼堇:鎏国丑Sill2Cl2一NH3一N2体系LPCVD氮化硅薄
3、膜生长工艺李学文,彭志坚(1.国防科学技术大学湖南长沙,410000;2.中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111)摘要:以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调节淀积温度,工艺气体流量,工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性,应力,耐腐蚀等方面均达到了使用要求.关键词:氮化硅薄膜;LPCVD;工艺温度;工艺压力;气体流量;均匀性中图分类号:TN305.5文献标识码:
4、A文章编号:1004.4507(2008)12.0030—04TheSill2CI2一NH3一N2SystemLPCVDCraftofSiN4FilmXUEWenli,ZHIJianpeng2(1,The48thresearchinstituteofCETC[1,2]410111,China;2,NUDT[1];changsha,China)Abstract:Si3N4filmhasmanygoodcharacteristics;andiSwideyusedInchesemi—conductogmicro—electronics,theM
5、EMSrealm,ThistextwithdevelopbyoneselfofLPCVDthecraftthattheequipmentscarryonexperimentforfoundation,thesynopsisintroducedthemakingmethodandtheLPCVDlegalsystemoftheSi3N4thinfilmstohaveofthecharacteristicoftheSi3N4thinfilms,introducedlow—pressurechemistryspiritindetailmutua
6、llytoaccumulate(LPCVD)thecraftofSi3N4film.Passtoregulatetoaccumulatethetemperature,craftairdischarge,thecraftpressureandslicetobeapanfrometc.thecraftparameter,endmakesthenitrogenthatthebatchquantityproduceturntheSj3N4thinfilmintheeven,shoulddint,bearcorrosion,etc.allcomes
7、toatheusagerequest.Keywords:Si3N4film;LPCVD;Crafttemperature;Craftpressure;Airdischarge;Uniformity收稿日期:2008—11.25作者简介:李学文(1974.),男,高级工程师,主要从事电子专用设备,太阳能电池工艺设备的研制与开发及相关设备的工艺研究工作.⑩(总第167期)囫■圆-电子工业毫用设备?IC制造设备与工艺?Si薄膜具有对可动离子a+)阻挡能力强,结构致密,针孔密度小,呈蔬水性,化学稳定性好,介电常数大等优良特性[1].是一种在半导体
8、,微电子学和MEMS领域广泛应用的薄膜材料,大量应用于钝化,隔离,电容介质,结构材料等,特别是随着电子器件尺寸缩小,Si薄膜将发挥更大的作用.因此,对于Si薄膜的制备工艺及其组成,结构和性质的
