硅片清洗原理与改进方法毕业论文

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2、)题目硅片清洗原理与改进方法所属系太阳能科学与工程系专业光伏材料加工与应用技术经济增长:在优化结构、提高效益和降低消耗的基础上,“十一五”期市GDP年均增长12%以上(现14%以上),2010年达到650亿元以上,人均GDP力争1000美元;财政收入达到80亿元;规模以上工业销售达到550亿以上;全社会固定资产投资年均长20%,五年累计1000亿元;社会消费品销售额260亿元,年均增长20%,外贸进口总额2.5亿美元,年均增长15%;五年累计招商引资突破500亿元,力争达到600亿元13硅片清洗原理与

3、改进方法摘要随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片清洗的方法和原理,不管是对于从事硅片加工的人,还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。 本文对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,

4、同时对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。最后介绍了清洗工艺的最新进展。关键词:硅片;清洗;湿法化学清洗;干法清洗技术;最新进展经济增长:在优化结构、提高效益和降低消耗的基础上,“十一五”期市GDP年均增长12%以上(现14%以上),2010年达到650亿元以上,人均GDP力争1000美元;财政收入达到80亿元;规模以上工业销售达到550亿以上;全社会固定资产投资年均长20%,五年累计1000亿元;社会消费品销售额260亿元,年均增长20%,外贸进口总额2.5亿美

5、元,年均增长15%;五年累计招商引资突破500亿元,力争达到600亿元13SiliconwafercleaningprincipleandimprovingmethodsAbstractAlongwiththedevelopmentoflargescaleintegratedcircuit,theconstantimprovementofthelevelofintegration,thelinewidthofconstantlydecrease,thequalityrequirementsofthes

6、iliconwaferofmoreandmoreisalsohigh,especiallyinsiliconPaoGuangPiansurfacequalityrequirementsmoreandmoresevere.Insilicontransistorsandintegratedcircuitproduction,almosteveryprocessistheproblemofsiliconcleaning,thestandorfallofsiliconcleaningdeviceperform

7、ancetohaveaseriousimpact,processesimproper,maymakeallsiliconscrap,can'tmakethetubeto,ormadetheinferiordeviceperformance,stabilityandreliabilityispoor.Soclearofthesiliconcleaningmethodandprinciple,whetheritbeforwaferprocessinginperson,stillengagedinthepr

8、oductionofsemiconductordevicesforpeopleisofgreatsignificance.Inthispaper,thebasictheoryofsiliconcleaningprocessmethodandcommontechniquesarediscussedindetail,atthesametimeforsomecommonlyusedcleaningsolutionforshallow,andtheimporta

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