电气技术基础ⅱ复习题模拟电子

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1、电气技术基础Ⅱ复习题模拟电子技术基础部分第1章半导体器件一、填空题1、纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外

2、电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。5、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。6、三极管内部结构的特点是：基区薄且掺杂浓度低、发射区掺杂浓度高、集电区面积大。7、场效应管分类

3、从结构上可分为结型和绝缘栅（MOS）型；从半导体导电沟道类型上可分为P沟道和N沟道；从有无原始导电沟道上可分为耗尽型和增强型。8、场效应管三个电极D、G和S分别称为漏极、栅极和源极，相当于晶体三极管的集电极、基极和发射极。场效应管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、分析计算题1、设图1－1中的VD1、VD2都是理想二极管，求电阻R中的电流和电压UO。已知R=6kΩ，E1＝6V，E2＝12V。图1－1图1－2图1－3解：判断二极管是导通还是截止的判断方法是：假设先将被判断的二极管开路，计算接二极管阳极处的电位UA和接二极管阴极处的电位UK。当将二极管视为理

4、想元件（即忽略二极管正向压降和反向漏电流）时，若UA≥UK，则接上二极管必然导通，其两端电压为零。否则接上二极管必然截止，其反向电流为零。当计及二极管的正向压降UD时，若UA-UK≥UD，则接上二极管必然导通，其两端电压通常硅管取0.7Ｖ，锗管取0.2Ｖ。否则接上二极管必然截止，其反向电流为零。⑴、先判断VD1的状态。把VD1从图中取下，如图1－2a所示。11从图1－2a可以判断出VD2是正向导通的，于是6V电源的正极接a端，负极接b端，a点电位高于b点电位，这个极性使VD1反向偏置。⑵、再判断VD2的状态。把VD2从图中取下，如图1—2b所示。可以判断出图中的VD

5、1是正向导通的，于是6v电源的正极经VD1接d端，负极接c端，即开路端d点电位高于c点电位，这个极性使VD2正向偏置。⑶、根据上述判断可以画出图1－1的等效电路如图1－3所示流过电阻及的电流I和UO为I＝（E1＋E2）/R＝(6+12)V/6kΩ＝3mAUO＝－E1＝－6V2、用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图1—4所示。试指出每只晶体管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型的。图1－4解在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压降为UBE＝0.6～0.8V；PNP型锗管UBE＝－0.2～－0.3V。因V

6、1管的UBE＝UB－UE＝－2.3V－（－3）V＝0.7V。且满足UC＞UB＞UE，可见V1是NPN硅管：V1的三个极：②为B，③为E，①为C；因V2管的UBE＝UB－UE＝（－0.7）V－0V＝－0.7V，且满足UC＜UB＜UE，所以V2是PNP型硅管。V2的三个极：①为E，②为B，③为C；因V3管的UBE＝UB－UE＝5.7V－6V＝－0.3V，且满足UC＜UB＜UE，所以V3是PNP型锗管。V的三个极：②为B，①为E，③为C。u/Vωt0uiu01053、图1－5所示电路中，已知E=5V，V，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=∞）

7、，试画出u0的波形。图1－5答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=ui，当ui