《模拟电子技术》复习大纲（二）

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1、《模拟电子技术》复习大纲（二）五、典型题解1.4电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。图P1.4图解P1.4解：波形如解图P1.4所示。1.6电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流ID＝（V－UD）/R＝2.6mA其动态电阻rD≈UT/ID＝10Ω故动态电流有效值Id＝Ui/rD≈1mA图P1.61

2、.11电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。图P1.1126解：波形如解图P1.11所示解图P1.111.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。图P1.14解：答案如解图P1.14所示。解图P1.141.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.1526所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅

3、管还是锗管。图P1.15解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。解表P1.15管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。（2）当VBB＝1V时，因为μA所以T处于放大状态。（3）当VBB＝3V时，因为μA图P1.1626

4、所以T处于饱和状态。1.19分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图P1.99解：（a）可能（b）可能（c）不能d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能1.21已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.21.解图P1.211.23电路如图1.23所示，

5、T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS＝uI。当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。当uI＝8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知iD≈0.6mA，管压降uDS≈VDD－iDRd≈10V因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于开启电压，图P1.23说明假设成立，即T工作在恒流区。当uI＝12V时，由于VDD＝12V，必然使T工作在可变电阻区。261.24分别判

6、断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。图P1.24解：（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。图P2.2解：（a）将－VCC改为＋VCC。（b）在＋VCC与基极之间加Rb。（c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。2.7电路如图P2.7所示，晶体管的b＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri和Ro。26图P2.7解2.

7、7在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为2.13电路如图P2.13所示，晶体管的b＝100，=100Ω。（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图P2.1326解：（1）静态分析：动态分析：（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。2.20改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。图P2

8、.20解：（a）源极加电阻RS。26（b）漏极加电阻RD。（c）输入端加耦合电容。（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，写出、Ri和Ro的表达式。解：、Ri和Ro的表达式分别为图