2015华南理工“数字电子技术”作业-丁超飞

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1、第1章作业1.1为了将600份文件顺序编码，如果采用二进制代码，最少需要用几位？如果改用八进制或十六进制代码，则最少各需要用几位？答：如用二进制最少需10位，用八进制最少需4位，用十六进制最少需3位.1.4将下列二进制数转换为等值的十进制数。（1）（101.011）2；（3）（1111.1111）2。解（1）（101.011）2=5.375（3）（1111.1111）2=15.93751.5将下列二进制数转换为等值的八进制数和十六进制数。（2）（1001.1101）2；（4）（101100.110011）2。解：（2）（1001.1101）2=11.6

2、4Q=9DH（4）（101100.110011）2=54.63Q=26.CCH1.6将下列十六进制数转换为等值的二进制数。（1）（8.C）16；（3）（8F.FF）16。(1)(8C)16=8*16+12=(140)10=(1000/1100)2(3)(8F.FF)16=8*16+15+15*16-1+15*16-2=(14309960937)101.9将下列十进制数转换为等值的二进制数和十六进制数。要求二进制数保留小数点以后4位有效数字。（2）（188.875）10；（4）（174.06）10。解：(2)10111100.111B=BC.EH;(4)

3、10101110.0001B=AE.1H1.14用二进制补码运算计算下列各式。式中的4位二进制数是不带符号位的绝对值。如果和为负数，请求出负数的绝对值。（提示：所用补码的有效位数应足够表示代数和的最大绝对值。）（2）1101+1011；（4）1101-1011；（6）1011-1101；（8）-1101-1011。解：2.补码取5位有效数字和1位符号位001101+001011=0110004.补码取4位有效数字和1位符号01101+10101=000106.1011-11018.-1101-1011第2章作业2.4已知逻辑函数的真值表如表P2.4（a

4、）、（b）所示，试写出对应的逻辑函数式。表P2.4（a）表P2.4（b）2.7写出图P2.7（a）、（b）所示电路的输出逻辑函数式。图P2.72.8已知逻辑函数Y的波形图如图P2.8所示，试求Y的真值表和逻辑函数式。图P2.82.10将下列各函数式化为最小项之和的形式。（1）（3）（5）2.12将下列逻辑函数式化为与非–与非形式，并画出全部由与非逻辑单元组成的逻辑电路图。（2）（4）2.13将下列逻辑函数式化为或非–或非形式，并画出全部由或非逻辑单元组成的逻辑电路图。（1）（3）2.15用逻辑代数的基本公式和常用公式将下列逻辑函数化为最简与或形式。（2

5、）（4）（6）（8）（10）2.17用卡诺图化简法化简以下逻辑函数。（2）（4）2.22将下列具有约束项的逻辑函数化为最简与或形式。（2），给定约束条件为。（4），给定约束条件为。第3章作业3.8试画出图P3.8（a）、（b）两个电路的输出电压波形，输入电压波形如图（c）所示。图P3.83.10图P3.10中的G1～G4是OD输出结构的与非门74HC03，它们接成线与结构。试写出线与输出Y与输入A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2之间的逻辑关系式，并计算外接电阻RL取值的允许范围。图P3.103.12在图P3.12所示的电路中，试计算当输入端

6、分别接0V、5V和悬空时输出电压vO的数值，并指出三极管工作在什么状态。假定三极管导通以后vBE≈0.7V，电路参数如图中所注。三极管的饱和导通压降VCE（sat）≈0.1V，饱和导通内阻RCE（sat）=20Ω。图P3.123.14指出图P3.14中各门电路的输出是什么状态（高电平、低电平或高阻态）。已知这些门电路都是74系列TTL电路。图P3.143.15说明图P3.15中各门电路的输出是高电平还是低电平。已知它们都是74HC系列CMOS电路。图P3.153.16在图P3.16所示的由74系列TTL与非门组成的电路中，计算门GM能驱动多少同样的与非

7、门。要求GM输出的高、低电平满足VOH≥3.2V，VOL≤0.4V。与非门的输入电流为IIL≤-1.6mA，IIH≤40μA。VOL≤0.4V时输出电流最大值为IOL（max）=16mA，VOH≥3.2V时输出电流最大值为IOH（max）=-0.4mA。GM的输出电阻可忽略不计。图P3.163.17在图P3.17所示由74系列TTL或非门组成的电路中，试求门GM能驱动多少同样的或非门。要求GM输出的高、低电平满足VOH≥3.2V、VOL≤0.4V。或非门每个输入端的输入电流为IIL≤-1.6mA，IIH≤40μA。VOL≤0.4V时输出电流最大值为IO

8、L（max）=16mA，VOH≥3.2V时输出电流最大值为IOH（max）=-0.4mA。GM