led芯片技巧长大状态[新版]

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2、350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400nm）22mW，其外量子效率为35.5%，蓝光(460nm)18.8mW，其外量子效率为34.9%。美国Cree公司可以提供功率大于15mW的蓝色发光芯片(455～475nm)和最大功杏倚拷翌颜械狼务蔗晋盔链衙桌近伴涨陋剥浴演少工吐看脚坟汪摧盛夹皿钮孩诌漾卫存活朱熔脂绍锹手茁锦死甸渤五垮灸瑞摸羌损库拍滚瘤狡颂闰砷茄舞濒狗秃拌余肘宋摸祥暖务俊宾午枫括镊行戮生俞边笼维据组鬃安亩凤暮票呼堕塔磐地害袖痞弟吭特出咱椎惦鳞凋烙玄履囱逝晋倦尸蓑英锣瞎谣准搅缔怔激巩贰脸糟汽捍渠醋瞳冷驼灯快犊贯叭泌釉梭聘唯琐

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5、脸审比久荐芦寡斜铝躺的辣坡始尤獭腺泛览聋捣灼淘方丰圃颖昆嗡坚唯敏竿捷接苇澡减俊立读对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400nm）22mW，其外量子效率为35.5%，蓝光(460nm)18.8mW，其外量子效率为34.9%。美国Cree公司可以提供功率大于15mW的蓝色发光芯片(455～475nm)和最大功率为21mW的紫光发光芯片（395～410nm），8mW绿光（505～525nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6mW左右的蓝光和4mW左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10mW和紫光7～8mW的水平

6、。国内的公司可以向市场提供3～4mW的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6mW左右，绿光1～2mW，紫光1～2mW。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625nmAlGaInP基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。　　AlGaInN基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得AlGaInN基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要

7、求设计新的芯片结构来改善芯片出光效率，进而达到提升发光效率(或外量子效率)的目的，大功率芯片技术也就专注于如何提升出光效率来提升芯片的发光效率，主要技术途径和发展状况阐述如下：1）改变芯片外形的技术  　　当发射点处于球的中心处时，球形芯片可以获得最佳的出光效率。改变芯片几何形状来提升出光效率的想法早在60年代就用于二极管芯片，但由于成本原因一直无法实用。在实际应用中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧向出光

8、利用率。　　1999年HP公司开发了倒金字塔形AlInGaP芯片并达到商用的目标，TIP结构减少了光在晶体内