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《零价锌还原降解水中n-亚硝基二甲胺效能及机理的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、------------------------------------------------------------------------------------------------化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质第26卷第7期2005年7月半导体学报CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSVol.26No.7July,2005敖建平1,2*1何青孙国忠11,2刘芳芳黄磊李薇李凤岩孙云薛玉明11111(1南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津
2、300071)(2南昌航空工业学院材料系,南昌330034)摘要:采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104~1058#cm范围,结晶均匀——————————————————————————————————————-------------------------------------------------------------------------
3、-----------------------细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12110%和12117%.关键词:化学水浴沉积;CdS;CIGS太阳电池PACC:7280E;7340L;7360F中图分类号:TN305文献标识码:A文章编号:025324177(2005)07213472061引言以Cu(In,Ga)Se2(简称CIGS)为吸收材料的化合物薄膜太阳电池,目前其光电转换效率已达到1912%[1],中试生产30cm@30cm电池组件效率超过13%,连续化生产的电池组件平均转换效率达111
4、62%[2]薄膜的性能也有所不同,有的是六方晶结构,有的是立方晶结构,有的为两者混合.研究表明,热处理可以改变CdS的结晶结构[8].至于同一溶液体系中,CdS的晶格变化与溶液组成之间的关系还未见报道.目前,国内多采用氯化物溶液体系制备CdS薄膜,一般得到的是六方晶系的CdS.本文采用CBD法在醋酸镉溶液体系中沉积CdS半导体薄膜,并对CdS的沉积工艺、光电性能及组织结构进行了研究.通过调整溶液体系的化学成份和工艺参数,可以改变CdS薄膜晶体结构的类型,并将此应用于CIGS薄膜太阳电池结构中..CIGS薄膜太阳电池高效、稳定、成本低廉,具有很
5、强的市场竞争力,是二十一世纪最有希望的光伏器件之一.——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------在高转换效率的CIGS薄膜太阳电池结构中,采用化学水浴法(CBD法)制备CdS半导体薄膜作为缓冲层具有重要作用.CdS与CIGS薄膜具有较低的晶格失配,能够完整地包覆在粗糙的CIGS表面,形成一层无针孔、结构致密的薄层,有效地阻
6、止溅射ZnO造成的CIGS薄膜损伤而引起电池短路现象;同时Cd原子扩散到CIGS表面有序缺陷层进行微量掺杂,对改善异质结特性具有重要作用.化学水浴法制备CdS使用的溶液体系主要有:以氯化镉为主的体系[3,4]2实验制备CdS薄膜的溶液由Cd(CH3COO)2,NH2CSNH2,CH3COONH4和NH4OH按一定比例组成,使用的化学药品均为分析纯,溶液的pH值控制在1111~1117,pH值由德国WTW公司的EcolinepH2170测定.溶液配制时先将Cd(CH3COO)2,NH2CSNH2和CH3COONH4配成稀溶液,再取一定量的稀溶液
7、按上述次序依次加入量好的去离子水中,同时搅拌,最后加入氨水即可待用.薄膜制备过程:将玻璃基片或玻璃/Mo/CIGS薄、以醋酸镉为主的体系[5][7]、以碘化镉为主的体系及以硫酸镉为主的体系.不同溶液体系沉积的CdS都可用作CIGS太阳电池的缓冲层,但由于沉积的工艺参数各不相同,制备的CdS——————————————————————————————————————-------------------------------------------------------------------------------------------
8、-----[6]*国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA513021),江西省自然科学基金(批准号:0120024)资助项目敖建平女,1961年出生,教授,主
