晶体管二次击穿测试仪

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1、BJ2989D晶体三极管正偏二次击穿测试系统简介1.1概述BJ2989D晶体管正偏二次击穿测试系统可测试中、大功率NPN型晶体三极管热阻参数的二次击穿电压。采用计算机自动控制测试，测试结果自动处理，十分方便快捷，可自动绘制构成器件安全工作区重要的二次击穿功率PSB曲线。1.2本系统的主要特点●正偏二次击穿电压测试可测试NPN型晶体三极管；●二次击穿测试过程中对被测管保护速度快，关断时间小于500ns，能够有效避免被测管在测试过程中损坏；●采用通用微机控制，基于Windows系统的控制软件，具有友好的人机交互界面，窗口填表式编程，测试结果以表格及图形曲线方式显示，使您轻松掌

2、握测试。-3---1.3二次击穿功率PSB曲线1.4本系统的主要技术指标1.4.1测试电压源电压范围负载能力备注0—300V3.5A1.4.2测试电流源电流量程分辨力精度-250mA~250mA122uA±(610uA+2%set)±(250mA~2.5)A1.22mA±(6.1mA+2%set)±(2.5A~3.5)A12.2mA±(61mA+2%set)1.4.3VSB测试电压范围及精度电压量程分辨力精度-8.125~8.125V3.97mV±(7.94mV+0.25%Rdg)±(8.125~16.25)V7.94mV±(15.88mV+0.25%Rdg)-3---±

3、(16.25~32.5)V15.88mV±(31.76mV+0.25%Rdg)±(32.5~65)V31.76mV±(63.52mV+0.25%Rdg)±(65~130)V63.52mV±(127.04mV+0.25%Rdg)±(260~300)V127.04mV±(254.08mV+0.25%Rdg)1.4.4测试电流源施加条件脉宽：50us、100us、1ms、10ms、100ms、直流；占空比：1:2、1:4、1:8、1:16、1:32、1:64、直流。脉宽与占空比可进行以上选项任意组合选择。-3---