基于multisim仿真实验的共基放大电路的性能研究

《基于multisim仿真实验的共基放大电路的性能研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、邯郸学院本科毕业论文题目基于Multisim仿真实验的共基放大电路性能研究学生白蕾蕾指导教师张劼教授李洁助教年级2007级专业物理学系部物理与电气工程系邯郸学院物理与电气工程系2011年6月II郑重声明本人的毕业论文是在指导教师张劼教授的指导下独立撰写完成的。如有剽窃、抄袭、造假等违反学术道德、学术规范和侵权的行为，本人愿意承担由此产生的各种后果，直至法律责任，并愿意通过网络接受公众的监督。特此郑重声明。毕业论文作者（签名）：年月日IIIIII摘要本论文主要应用Multisim软件对共基放大电路进行仿真。获取该电路在各频率下的输出波形图，

2、通过对数据及图像的分析，最终得出共基放大电路在频率多少时，放大能力最强且波形失真小且波形稳定。关键词共基放大电路下限截止频率频率响应放大倍数TheDesignandResearchofCommon-baseAmplifierBasedonMultisimSimulationTestBaiLeileiDriectedbyProf.ZhangJieandLecturerLiJieAbstractThispapermainlyappliedMultisimsoftwaresimulationtoCommon-baseamplifier.Obta

3、intheoutputwaveformindifferentfrequencybasedontheanalysisofthedataandfigure.EventuallygetCommon-baseamplifier’samplificationabilityisthebestandwaveformdistortionissmallandwaveformstabilityinwhatkindoffrequency.KeywordsCommon-baseamplifierLowercut-offfrequencyFrequencyresp

4、onseAmplification目录摘要1外文页21前言12半导体三极管的结构、工作原理及参数12.1半导体三极管的结构12.2半导体三极管的工作原理12.3三极管的主要参数13基本放大电路23.1放大电路的频率响应23.1.1幅频特性和相频特性23.1.2下限频率、上限频率和通频带23.1.3频率失真23.1.4波特图23.2三极管的频率参数34共基放大电路频率响应34.1共基放大电路的低频响应44.2共基放大电路的中频响应64.3共基放大电路的高频响应65.基于Multisim仿真95.1Multisim软件简介95.2共基放大电路

5、低频仿真95.3共基放大电路中频仿真115.4共基放大电路高频仿真125.5频率改变对共基放大电路输出波形的影响135.6关于共基放大电路的频率响应的讨论17结论17参考文献18致谢19基于Multisim仿真实验的共基放大电路性能研究1前言几乎现阶段每个完整的电子产品中都离不开放大器，而放大器性能的提高对电子产品的功能起着重要的决定作用。关于共基放大电路频率响应的研究已经很成熟，理论上的分析及研究成果在很多教科书中已经成为学习电子技术的基础。具体关于用实验室仿真软件对其进行仿真并进行结果分析的研究并不常见，此项研究既可以对共基放大电路频

6、率响应的理论结果进行验证，而且在实践中还具有一定的指导意义。未来放大器市场增长的驱动力主要有三方面：其一，便携式应用的低功耗要求将推动具有低操作电源电压电流的放大器增长;其二，高分辨率应用需要能降低噪声和失真度的放大器；其三，由于性能和价格压力持续上扬,因此能够集成其他功能的放大器前景乐观。测试和测量、通信、医疗影像等领域的先进应用是提升放大器性能的主要驱动力。但对于低速的高精度系统,直流方面的特性则通常更为重要。衡量系统在交流特性方面的参数有信号带宽、失真率、噪声等；而衡量系统在直流特性方面的参数有输入补偿电压、开环增益、输入偏置电流及

7、共模抑制比等。2半导体三极管的结构、工作原理及参数2.1半导体三极管的结构半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT。它由2个背靠背的PN结组成，分为NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。NPN型三极管：采用平面管制造工艺，在N＋型底层上形成两个PN结。工艺特点：三个区，二个结，引出三根电极,杂质浓度e区掺杂浓度最高，b区较高，c区最低,面积c区最大，e区大，b区窄。PNP型三极管：在P＋型底层上形成两个PN结。2.2半导体三极管的工作原理NPN管的工作原理：为使NPN管正常放大发射结正偏()，集电结反偏(

8、)。发射区向基区大量发射电子(多子)，进入基区的电子成为基区的少子，其中小部分与基区的多子(空穴)复合，形成电流，绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘。因集电结反偏，这些少子将非常容易漂移