本章要求掌握二极管和三极管基本特性、电路符号、工作原

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1、本章要求：掌握二极管和三极管基本特性、电路符号、工作原理、三极管的电流分配关系；理解二极管和三极管的伏安特性曲线和主要参数；了解三极管的放大作用；了解场效应管的结构、工作原理及分类。1.1半导体基本知识1.1.1本征半导体1．导体、绝缘体和半导体2．本征半导体化学成分纯净（九个9）的半导体称为本征半导体1.1.2杂质半导体1．N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素；自由电子是多数载流子，也称电子型半导体。2．P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素；空穴是多数载流子，也称空穴型半导体。1.2半导体二极管1．PN结在一块本征半导体的两侧通过扩散的的方法掺入不同的杂质,分别形成N型半导体和P型

2、半导体。图1-5PN结的形成过程PN结的特性：单向导电性二极管：在PN结上加上引线和封装1.2.3二极管的伏安特性图1-11二极管的伏安特性曲线正向特性死区电压：硅管0.5V；锗管0.1V2.反向特性1.2.4二极管的主要参数半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。1.2.5特殊二极管1.稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。图1-12稳压二极管的伏安特性3．发光二极管发光二极管简称LED，是将电能转变为光能的管子。图1-14发光二极管的符号和伏安特性LED工作时应加正向电压。载流子

3、在运动过程中复合并释放光能。由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。1.3三极管（Transistor）1.3.1三极管结构及符号1.3三极管（Transistor）1.3.2三极管的三种接法（三种组态）三极管在放大电路中有三种接法：共发射极、共基极、共集电极。1.3.3三极管的电流放大作用1．三极管的电流分配关系：IE=IC+IB2．三极管的电流放大系数：1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线一.输入特性曲线IB=f(UBE，UCE)实际测试时如下进行：IB=f(UBE)

4、UCEUCE＞5V的特性曲线基本

5、重合为一条，手册可给出该条曲线。1.3.3三极管的共射特性曲线1．输入特性曲线图1-18三极管的输入特性曲线输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系2．输出特性曲线输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下，集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系图1-19三极管的输出特性曲线1.3.4三极管的主要参数1．电流放大系数——表征三极管放大能力2．极间反向电流——表征管子稳定性3．极限参数——表征三极管安全工作范围