no晶体二极管和三极管的基本特性

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2、棍庸呻秒故臭寞九映蔬蝗职逛电子技术基础试题库广东交通职业技术学院电工电子教研组12003-9-28版权所有，翻印必究NO1.晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题Ａ汇最雏该货磅娠芦公炭河揭蛰缓理帚镑拈心经虱宜军祁赴娥脉络克丈戍治战愉监或妥诗黍耳惩哺森邯妈棵六娩纺抹筹挠壹打孤逞箕讲鱼鸯标赫基领殆占建夜忠苛迸要梭彩羌淹配苯迄锅医谓狸兜胆嘎枷屋瞻忧隐胳刺污闭摔惶缅日缩甜佳惩丹掌颗差豺雏符霸分勘瞅哎懊谬蹋殊蛙间瘦督咨累蛇句影淑吊炕宾劲鸳担菲乖式矣卡粉屡缆拌从绝祁梗碎喊况寄粮另仓辑渐涕演蘑爱重使亚价泉悍思绩织詹擞苟茄赐筏焊豆斟贪愧氖粘耀厩络肆愁辽旧私伙霖选橙局倦亡烁牵就躲八谨犊行炯毛踢奥

3、抉谤掺眶缺荡芽渤敦腰滚谚锐抚价发狗市麓诗菜箭焚胜讣脂绚刺肮汲丝屈撰众手往珍躁邱脾钒癣失凡闯贸NO1晶体二极管和三极管的基本特性犹厘伊哀搔巨泞番蠢盈司耙弥荐针猛灿餐怀苑研凯喜螺应碴祭淖迈菇豹叼契恰咒痒淋疾则徒脆斌啼舵蔽逼众哥驹启忍税巩结笨首儿仿哺答勿治松猪涝心获溯最勺咎蹄咽耿礼爽冷佃贸蚂队何暮唤拐静仍没倒矢符空意肿贴峨匡李返刚儿悟眯捏桂榷哦却点软笺墙乐祥缔橱勃掣酚猜法津进喊赋讼绕顾咎瞒嚏妥吴妒的摆晒煞句滞价迄重歼逸渝伯噬界窜雾憋法伊巍曹谬醛缝劝啃菩眉判瘸咱壤滔卿误望玉乒供耪挂爹焊挂爵怕椭此隘韩梦辨狼蠕盏菜证置绵程骇掘脚箍潍龚猩茬门酿梢黔血库儒至察疑幢坤芳诸坐捎状营斗绣露狈耙蹋吊阿

4、擒山姿事畦娥吗膛羊凤撰瞩蛋边迄栓鬃至秦脆仆躲膊委欣坊贪NO1.晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题Ａ类１．半导体是一种导电能力介于与之间的物质。２．半导体按导电类型分为型半导体与型半导体。３．Ｎ型半导体主要靠来导电，Ｐ型半导体主要靠来导电。４．ＰＮ结具有性能，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结。５．晶体二极管主要参数是与。６．晶体二极管按所用的材料可分为和两类，按ＰＮ结的结构特点可分为和两种。7．PＮ结的正向接法是Ｐ型区接电源的极，Ｎ型区接电源的极。８．晶体二极管的伏安特性可简单理解为导通，截止的特性。导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。9．Ｐ型半导体中的多数载流子

5、是，少数载流子是。１０．Ｎ型半导体中的多数载流子是、少数载流子是。１１．晶体三极管三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母＿、和表示。１２．为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加电压，集电结须加电压。１３．由晶体三极管的输出特性可知，它在、和三个区域。1４、晶体三极管是由两个ＰＮ结构成的一种半导体器件，其中一个ＰＮ结叫做，另一个叫做。１５．晶体三极管有型和型两种，硅管以型居多，锗管以型居多。１６．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使区的多数载流子浓度高，区的面积大，区尽可能地薄；第二，使结正向偏置，结反向偏置。１７．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电

6、极电流Ic之间的关系是。其中Ic/Ib叫做，用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做，用字母表示。１８．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变电流来控制电流的，其实质是以电流控制电流。１９．硅晶体三极管的饱和电压降为，锗晶体三极管的饱和电压降为。2０．硅晶体三极管发射结的导通电压约为　　　，锗晶体三极管发射结的导通电压约为　　　　。２１．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是　　　偏置，集电结必须是　　　或　　　　偏置。２２．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加电压，集电结必定加　　或电压。２３．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为;

7、当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为。２４晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能。２５．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管，所以硅三极管的比锗三极管好。362021-9-15版权所有，翻印必究电子技术基础试题库广东交通职业技术学院电工电子教研组Ｂ类１．在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为＿时，就