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时间:2018-07-12
《南山区科技创新分项资金核心技术突破资助计划操作规程》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、南山区自主创新产业发展专项资金——技术研发和创意设计项目分项资金核心技术突破资助项目申报指南一、资助内容本资助计划主要对我区企事业单位在战略性新兴产业和未来产业领域开展核心技术、关键技术、共性技术攻关的研发经费进行资助,从而促进企事业单位实现核心技术突破,提升南山区的核心技术自主创新能力。二、资助额度及方式每个项目资助额不高于项目预算总投资额的50%,且年度资助金额不超过300万元,项目建设期不超过二年。本资助计划属评审类,采取无偿资助方式。三、申请条件(一)申请单位是注册地在南山区且具有独立法人资格的企业。对于高校、科研机构,以本单位二级机构为
2、项目研发参与单位,必须与企业联合申报,且以企业为牵头单位。多家企业和机构联合申报的,必须指定其中一家企业为牵头单位申报项目,其他作为参与单位。72同一单位同一年度只能牵头或参与一个项目。(二)申请单位具有良好的研发基础和条件、健全的财务制度和优秀的技术及管理团队,能提供相应的配套资金,具备承担申报项目研究开发和产业化的能力。(三)上年度企业按高新技术企业认定管理办法认定的研究开发费用总额占销售收入总额比例6%及以上。(四)申请单位拥有一件以上发明专利、计算机软件著作权或集成电路布图设计专有权。(五)申请单位信誉良好,无违法违规记录。(六)申请单位
3、承诺本年度国内专利申请数量不得低于上一年度的申请数量。四、申请材料(一)登陆南山区产业发展综合服务平台(http://sfms.szns.gov.cn/),登陆后在线填写《南山区核心技术突破资助项目申请书》;(二)营业执照、组织机构代码证、税务登记证、法定代表人身份证;(三)《项目可行性研究报告》;(按规定要求编写);(四)《项目合作研发协议》(单一单位申报的不提交此项);72(五)上一年度经审计的财务报告(注册时间不足一年的企业,提供注册时的验资报告)及最近一个月会计报表(含资产负债表、损益表、现金流量表);(六)上年度研究开发费用总额占销售收
4、入总额比例6%及以上的专项审计报告;(研发投入费用按《高新技术企业认定管理工作指引》(国科发火[2008]362号)的规定确定)(七)上年度及本年度申报日前三个月内的国、地税纳税证明(事业单位不提交此项);(八)按期填报高新统计报表的证明(区统计局开具,事业单位不提交此项);(九)申请单位的专利证书、计算机软件著作权登记证书或集成电路布图设计专有权证书等(成立时间少于3年的单位可不提交此项);(十)其他说明项目技术水平的附加材料,如专利证书、新药证书、医疗器械注册证、生产批文,新产品或新技术证明(查新)材料、产品质量检验报告、相关科技计划立项证明
5、、获奖证书等。以上材料均提交复印件,A4纸正反面打印/复印,一式五份,非空白页(含封面)需连续编写页码,装订成册(胶装)。(二)、(四)、(五)、(六)、(七)、(八)、(九)项要求验原件。两个以上单位联合申报的,(二)、(五)、(七)、(八)、(九)项提交所有单位的相应材料。72五、审批程序征集技术方向——确定技术方向——申请人申报——提交申请材料——形式审查——专家评审——现场考察——拟定资助计划——上报专项资金领导小组审定——下达项目资金资助计划——签订资助合同书——通过中期项目评估(拨付首笔资助经费)——通过项目验收(拨付资金余款)。六、
6、审批时限每年分批次成批处理。资助计划下达1个月内受资助单位须办理资金拨付手续,逾期不办理者视为自动放弃。七、验收项目验收按有关要求及项目资助合同相应条款执行。八、附则本规程由南山区科技创新局负责解释,自发布之日起施行。72附:核心技术2015-001:高效可靠的固态盘阵列存储系统研究一、领域:下一代信息技术、云计算与大数据。二、立项依据大数据时代,高效的数据存储介质是数据后续处理和利用的基础,高效可靠的固态盘阵列存储将是大数据时代的主要存储介质。与传统的硬盘相比,固态盘(SSD,Flash作为介质的存储器)具有高性能、低功耗、体积小、重量轻、抗震
7、动等特点。随着容量的提高和价格的降低,固态盘相对磁盘的优势越来越明显,逐渐应用于通用计算环境中。尤其是随着绿色存储概念的深入人心,固态盘存储系统和技术迅速成为应用和研究的热点。例如,EMC公司宣布在其高端产品Symmetrix中支持SSD;Google公司将美国总部部分服务器的硬盘替换为固态盘;百度公司也宣布开始使用自行研制的SSD。然而,固态盘具有写前擦除的负面结构特征。固态盘所用的闪存芯片由多个块组成,每个块又由多个页面组成,页面是数据读写操作的基本单位。当向某个页面写入数据时,需要先擦除包含该页面的整个块。块是擦除操作的最小单位,所以擦除操
8、作具有延迟大、功耗高的特点。“写前擦除”的结构特征直接导致闪存芯片的两个缺陷。第一个是闪存芯片的写性能明显低于读性能。第二个是每个存储单
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