压膜曝光原理简介

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1、压膜曝光原理简介主讲:何基蔺Date:06.July.2007学习目的1.了解PCB压膜和曝光原理2.初步认识PCB压膜/曝光工艺流程3.了解压膜/曝光其它相关技术PCB压膜曝光工艺流程线路成型原理PCB压膜原理详解PCB曝光原理详解其他曝光技术课程大纲一、PCB压膜曝光工艺流程PCB压膜曝光工艺流程图前处理压膜曝光显影蚀刻褪膜褪膜返洗下工序有缺陷板OK化学清洗线将铜箔表面的氧化和脏物及除去,将铜面粗化均匀，能增强干膜与铜箔之间的附着力,及改善干膜对铜箔之填充性微蚀前之铜面微蚀后之铜面前处理磨板机将铜箔表面的

2、氧化和脏物及除去,将铜面粗化均匀，能增强干膜与铜箔之间的附着力。前处理压膜机压膜:将感光材料（干膜）压附在铜箔上曝光:将产品设计图案(底片线路图)作影像转移到压过干膜铜箔基板上.曝光机DES线显影（Developing）:显影液与未曝光干膜反应,露出需蚀刻的铜面蚀刻（Etching）:用腐蚀药液将露出铜咬蚀掉,形成线路退膜（Stripping）:用剥膜液与干膜反应去除附着在线路上的干膜二、线路成型原理压膜干膜（光阻）和基板附着是藉由光阻膜顺着铜箔表面流动达成上下加压滚轮压膜机曝光D/FCCLPI+AD完成光聚

3、合反应之干膜形成线路图像底片UV紫外光线自由基式聚合反应之2.单体或中体+PI*PI+Polymer1.PI(感光启始剂)+hν(能量)PI*(用于聚合反应之自由基)显影D/FCCLPI+ADResist-COOH+CO32-HCO3-+Resist-COO-反应官能基反应官能基由显影液Na2CO3或K2CO3提供本反应实际为一种皂化反应，故于制程中会产生类似肥皂状的泡沫完成显影过程之线路蚀刻D/FCCLPI+AD完成蚀刻过程之线路Cu(铜箔)+CuCl2(二价铜)2CuCl(一价铜)蚀刻液再生反应蚀刻反应N

4、aClO3+6HClNaCl+3Cl2+3H2OCl2+2CuCl(一价铜)2CuCl2(二价铜)剥膜CCLPI+AD线路完全形成用化学及物理原理来清除线路板上干膜,NaOH溶液与干膜反应,先膨胀分裂(swell)，然后经过机台之喷压将干膜屑剥离铜面.三、压膜原理详解压膜(Lamination)滚轮之形状应微微凸出，可得到一致的压膜压力光阻和基板附着是藉由光阻膜顺着铜表面流动达成加热可降低光阻之黏度并增加流动性，压力可将流动状态之光阻挤上铜表面，两者之间产生附着力盖膜光阻膜保护膜铜箔压膜滚轮压膜(Lamina

5、tion)压瞙温度(Temperature)干膜在高温之下溶化会流动温度过高:起皱、出现气泡、干膜部份位置变薄、因干透而减低附着力温度过低:低附着力、低填充能力压瞙参数的影响压膜(Lamination)贴膜速度(Speed)影响出板温度及干膜的流动性速度过快:附着力低、填充能力低-速度过慢:起皱、干膜部份位置变薄、因干透而减低附着力压瞙参数的影响压膜(Lamination)贴膜压力(Pressure)以物理原理将干膜压附于板面上压力过高:起皱、干膜部份位置变薄压力过低:附着力低、填充能力低压瞙参数的影响压辘的

6、影响(RollCondition)ResistChipsRazorCutNicksLaminationRollers对压膜产生主要的影响作用用压痕“FootPrint”来测量压力的分布及其损耗情度-观察其压辘表面情况:缺口、凹凸不平、污染物压膜(Lamination)压膜(Lamination)铜箔的影响(Substrate)1.影响影响干膜的附着力及填充力2.影响因素板面水点、氧化物、板面残渣、凹痕织布纹、手印、油脂铜箔厚度铜箔重量铜箔进板温度压膜(Lamination)残渣在干膜及铜箔间出现压辘上的污染物

7、引致残渣在干膜及铜箔间出现压辘上的污染物引致不良的压膜结果压膜(Lamination)残渣在铜箔面上出现残渣在铜箔面上出现不良的压膜结果压膜(Lamination)压辘上的刻痕引致不知名的纤维在干膜及铜箔间出现压辘上的刻痕引致纤维异物在干膜及铜箔间出现不良的压膜结果压膜(Lamination)铜箔面出现不良现象(干膜凸起)铜箔面出现不良现象(干膜凹下)不良的压膜结果压膜(Lamination)坑痕不良的压膜结果压膜(Lamination)刮花不良的压膜结果压膜(Lamination)表面异物不良的压膜结果四、

8、曝光原理详解曝光(Exposure)光罩或压克力框菲林层线路层CCLPI干膜(光阻)Mylar(聚酯膜)底片保护膜(感光保护膜)干膜(X轴)能量理想的能量分布实际的能量分布干膜中的UV能量分布有的厂用Mylar曝光(Exposure)非平行光底片干膜聚酯(PET)非曝光曝光曝光非曝光铜箔平行光底片干膜聚酯(PET)铜箔曝光非曝光曝光不同光源曝光示意图能量:能量之大小影响成像质量(分辨率及密合度)曝光