nandflash读写过程

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1、NandFlash读写过程一、结构分析目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte。它们在寻址方式上有一定差异，所以程序代码并不通用。本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例，讲述NandFlash的读写方法。NandFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell里的，一般来说，一个cell中只能存储一个bit，这些ce

2、ll以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NANDDevice的位宽。这些Line组成Page，page再组织形成一个Block。k9f1208的相关数据如下：1block=32page；1page=528byte=512byte(MainArea)+16byte(SpareArea)。总容量为=4096（block数量）*32（page/block）*512(byte/page)=64MbyteNandFlash以页为单位读写数据，而以块为

3、单位擦除数据。按照k9f1208的组织方式可以分四类地址：ColumnAddress、halfpagepointer、PageAddress、BlockAddress。A[0:25]表示数据在64M空间中的地址。ColumnAddress表示数据在半页中的地址，大小范围0~255，用A[0:7]表示；halfpagepointer表示半页在整页中的位置，即在0~255空间还是在256~511空间，用A[8]表示；PageAddress表示页在块中的地址，大小范围0~31，用A[13:9]表示；Bloc

4、kAddress表示块在flash中的位置，大小范围0~4095，A[25:14]表示；二、读操作过程K9f1208的寻址分为4个cycle。分别是：A[0:7]、A[9:16]、A[17:24]、A[25]。读操作的过程为:1、发送读取指令；2、发送第1个cycle地址；3、发送第2个cycle地址；4、发送第3个cycle地址；5、发送第4个cycle地址；6、读取数据至页末。K9f1208提供了两个读指令，‘0x00’、‘0x01’。这两个指令区别在于‘0x00’可以将A[8]置为0，选中上半页

5、；而‘0x01’可以将A[8]置为1，选中下半页。虽然读写过程可以不从页边界开始，但在正式场合下还是建议从页边界开始读写至页结束。下面通过分析读取页的代码，阐述读过程。staticvoidReadPage(U32addr,U8*buf)//addr表示flash中的第几页，即‘flash地址>>9’{U16i;NFChipEn();//使能NandFlashWrNFCmd(READCMD0);//发送读指令‘0x00’，由于是整页读取，所以选用指令‘0x00’WrNFAddr(0);//写地址的第1个

6、cycle，即ColumnAddress，由于是整页读取所以取0WrNFAddr(addr);//写地址的第2个cycle，即A[9:16]WrNFAddr(addr>>8);//写地址的第3个cycle，即A[17:24]WrNFAddr(addr>>16);//写地址的第4个cycle，即A[25]。WaitNFBusy();//等待系统不忙for(i=0;i<512;i++)buf[i]=RdNFDat();//循环读出1页数据NFChipDs();//释放NandFlash}三、写操作过程写操

7、作的过程为:1、发送写开始指令；2、发送第1个cycle地址；3、发送第2个cycle地址；4、发送第3个cycle地址；5、发送第4个cycle地址；6、写入数据至页末；7、发送写结束指令下面通过分析写入页的代码，阐述读写过程。staticvoidWritePage(U32addr,U8*buf)//addr表示flash中的第几页，即‘flash地址>>9’{U32i;NFChipEn();//使能NandFlashWrNFCmd(PROGCMD0);//发送写开始指令’0x80’WrNFAddr

8、(0);//写地址的第1个cycleWrNFAddr(addr);//写地址的第2个cycleWrNFAddr(addr>>8);//写地址的第3个cycleWrNFAddr(addr>>16);写地址的第4个cycleWaitNFBusy();//等待系统不忙for(i=0;i<512;i++)WrNFDat(buf[i]);//循环写入1页数据WrNFCmd(PROGCMD1);//发送写结束指令’0x10’NFChipDs();//释放NandFl