电力电子技术外文翻译

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1、毕业论文（设计）外文翻译题目：电力电子技术二系部名称：专业班级：学生姓名：学号：指导教师：教师职称：20年3月15日电力电子技术（二）A部分晶闸管在晶闸管的工作状态，电流从阳极流向阴极。在其关闭状态，晶闸管可以阻止正向导电，使其不能运行。可触发晶闸管能使导通状态的正向电流在短时间内使设备处于阻断状态。使正向电压下降到只有导通状态的几伏（通常为1至3伏电压依赖于阻断电压的速度）。一旦设备开始进行，闸极电流将被隔离。晶闸管不可能被闸关闭，但是可以作为一个二极管。在电路的中，只有当电流处于消极状态，才能使晶闸管处于关闭状态，且电流降为零。在设

2、备运行的时间内，允许闸在运行的控制状态直到器件在可控时间再次进入正向阻断状态。在逆向偏置电压低于反向击穿电压时，晶闸管有微乎其微的漏电流。通常晶闸管的正向额定电压和反向阻断电压是相同的。晶闸管额定电流是在最大范围指定RMS和它是有能力进行平均电流。同样的对于二极管，晶闸管在分析变流器的结构中可以作为理想的设备。在一个阻性负载电路中的应用中，可以控制运行中的电流瞬间传至源电压的正半周期。当晶闸管尝试逆转源电压变为负值时，其理想化二极管电流立刻变成零。然而，按照数据表中指定的晶闸管，其反向电流为零。在设备不运行的时间中，电流为零，重要的参数

3、变也为零，这是转弯时间区间从零交叉电流电压的参考。晶闸管必须保持在反向电压，只有在这个时间，设备才有能力阻止它不是处于正向电压导通状态。如果一个正向电压应用于晶闸管的这段时间已过，设备可能因为过早地启动并有可能导致设备和电路损害。数据表指定晶闸管通过的反向电压在这段期间和超出这段时间外的一个指定的电压上升率。这段期间有时被称为晶闸管整流电路的周期。根据使用要求，各种类型的晶闸管是可得到的。在除了电压和电流的额定率，转弯时间，和前方的电压降以及其他必须考虑的特性包括电流导通的上升率和在关闭状态的下降率。1。控制晶闸管阶段。有时称为晶闸管转

4、换器，这些都是用来要是整顿阶段，如为直流和交流电机驱动器和高压直流输电线路应用的电压和电流的驱动。主要设备要求是在大电压、电流导通状态或低通态压降中。这类型的晶闸管的生产晶圆直径到10厘米，其中平均电流目前大约是4000A，阻断电压为5之7KV。2。逆变级的晶闸管。这些设计有小关断时间，除了低导通状态电压，虽然在设备导通状态电压值较小，可设定为2500V和1500A。他们的关断时间通常在几微秒范围到100μs之间，取决于其阻断电压的速率和通态压降。3。光控晶闸管。这些会被一束脉冲光纤触发使其被引导到一个特殊的敏感的晶闸管地区。光化的晶闸

5、管触发，是使用在适当波长的光的对硅产生多余的电子空穴。这些晶闸管的主要用途是应用在高电压，如高压直流系统，有许多晶闸管被应用在转换器阀门上。光控晶闸管已经发现的等级，有4kV的3kA，导通状态电压2V、光触发5毫瓦的功率要求。还有其它一些晶闸管，如辅助型关断晶闸管（关贸总协定），这些晶闸管其他变化，不对称硅可控（ASCR）和反向进行，晶闸管（RCT）的。这些都是应用。B部分功率集成电路功率集成电路的种类现代半导体功率控制相当数量的电路驱动，除了电路功率器件本身。这些控制电路通常由微处理器控制，其中包括逻辑电路。这种在同一芯片上包含或作为

6、功率器件来控制和驱动电路将大大简化了整个电路的设计和扩大潜在的应用范围。这样的整合将会产生一个更便宜和更可靠的电源控制系统。总的来说，将减少复杂性（较少独立电路和使用这类功率集成电路系统组件）。这样的整合已经被证明有很多应用。这里有三个类功率积体电路包括所谓的智能或智能开关，高电压集成电路（HVIC能够）和离散模块。功率集成电路领域，特别是智能交换机和HVIC，被认为是500-100A和目前的水平相差约1000伏或更少。离散模块涵盖更广泛的电压电流范围。智能开关垂直电力及其他组件的设备，而无需动力装置的垂直过程的顺序是可行的。如片上的过

7、流和过温传感器，以及驱动部分都是可用的，可以包含例子。PN结形成的N-漂移地区和P-区域始终是反向偏置，如果垂直功率场效应管的漏极是相对于电源，从而积极为这个路口提供了电气隔离之间的横向和纵向的场效应管。高电压（HVIC）集成电路都采用传统的逻辑设备制造过程，但一些修改，使横向高电压设备也可兼容低电压的设备。两个简单的例子，每个在其中的各种设备之间实现了电气隔离的方式不相同，HVIC有更多的复杂性。离散模块是由多个芯片安装在一个共同的绝缘基板，密封成一个包。他不包括各种芯片垂直器件，驱动电路芯片和控制电路芯片（甚至一个PWM控制器），以

8、及其他可能的功能。尽管这种方法并不是一个完全集成制造方法，但是我们有潜力，因为它目前广泛应用在智能开关或HVIC。石化商业化所面临的挑战使用整合的电力电子电路面临几个经济和技术方面的挑战。技术问题包括:1。