多孔硅含能材料阵列的制备与测试

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1、---------------------------------------------------------------范文最新推荐------------------------------------------------------多孔硅含能材料阵列的制备与测试摘要论述了多孔硅的特点和制备方法，总结了几种不同方法制备多孔硅材料不同之处。其中，应用单晶硅片双槽电化学腐蚀法制备多孔硅拥有可移植性强、产品性能优良、实验重复性好、制备工艺简单并易于控制反应流程等特点。通过光刻方法进行硅片预处理，形成阵列形式的硅基片，应用双槽电化学腐蚀方法

2、配合光刻技术制备出性能稳定的多孔硅阵列。9/10---------------------------------------------------------------范文最新推荐------------------------------------------------------通过实验研究了不同电流强度、电解液配比、光刻条件对多孔硅阵列形貌和性能的影响，得到了最优制备工艺。结果表明：使用HF酸乙醇溶液做电解液、以3：1的酸纯比、电流强度10-30mA/cm2，反应时间5min～20min时，可以得到发火性能比较优越的多孔硅含能材

3、料阵列。通过磁控溅射镀金属桥，通过超声震荡填充含能材料，制作了易于点火的多孔硅含能材料芯片，初步进行了激光点火和电点火实验。关键词多孔硅阵列双槽电化学腐蚀法10393毕业设计说明书（论文）外文摘要TitlePreparationandtestoftheporoussiliconenergeticmaterialsarrayAbstractDiscussedthecharacteristicsandthepreparationmethodsofPoroussilicon.Makeadistinctionbetweenseveraldifferen

4、tmethodsofpreparingPoroussiliconmaterials.Summeduptheapplicationofsilicondoubletankelectrochemicalmethodforpreparingporoussiliconhasstrongportability,productperformance,goodexperimentalrepeatability,simplepreparationprocessandeasycontrolofreactionprocesscharacteristics.Throu

5、ghthephotolithographywaferpretreatmentmethodformthesiliconsubstratearray.Usingdoubletankelectrochemicalmethodwithlithographymethodprepared9/10---------------------------------------------------------------范文最新推荐------------------------------------------------------poroussili

6、conarraywhichhasstableperformance.Foundthedifferentcurrentintensityratio,electrolyte,lithographyconditionsontheappearanceandperformancethroughthetest.researchshowsthat:whenuseHFacid-ethanolsolutionaselectrolyte,theratioofHFtoethanolis3:1,currentintensityis10-30mA/cm2,reactio

7、ntimeis5-20min,cangetsuperiorPoroussiliconwhichhaswellignitionquality.Throughthemagnetronsputteringgold-platedofbridgeandtheultrasoundconcussionfillingenergeticmaterials,madeporoussiliconchipwhichiseasytobeignited.Conductanpreliminaryexperimentthatusinglaserignitionandelectr

8、icignition.4.1.2测试流程与结果204.1.39/10-----------------------------------------