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1、WoodandM.AbdelRaouf,Phys.Rev.B,511995,的超薄膜和超晶格中观测到的Tc下降,主要是由诸如无序、晶界、和弱连接以及邻近电荷转移等外在因素引起的.特别是早期的实验结果更是如此.(4)随着薄膜生长技术(特别是对沉积速率的严格控制和采用高效的氧化源等)的不断改善,以及随着对超导维度问题研究的进一步深入,对高Tc超晶格当前和未来几年研究的重点将很可能从研究高Tc材料的层间耦合等问题,转向以寻找新的高温超导体为主要目的的新型铜氧化物亚稳结构和人工超晶格(如无限层结构23及其超晶格)的制备及其物性研究,以及高温超导多层器件特别是平面型约瑟夫森隧道结等电子器件的制作等方面来
2、.11773.E.Polturaketal.,Phys.Rev.Lett.,67(1991),3038.D.AriosaandH.Beck,Phys.Rev.B,43(1991),344.P.MinnhagenandP.Olsson,Phys.Rev.B,45(1992),5722.S.Martinetal.,Phys.Rev.Lett.,60(1988),2194.D.E.Farreletal.,Phys.Rev.Lett.,63(1989),782.D.E.Farreletal.,Phys.Rev.Lett.,64(1990),1573.J.H.Kimetal.,Phys.Rev.B,41
3、(1990),7251.D.P.Norton,D.H.Lowndes,S.J.Pennycooketal.,Phys.Rev.Lett.,67(1991),1358.G.Jakobetal.,Appl.Phys.Lett.,59(1991),1626;G.Jakobetal.,J.Supercon.,7(1994),197.T.Matsushimaetal.,SolidStateCommun.,76(1990),1201.M.Kanai,T.KawaiandS.Kawai,Appl.Phys.Lett.,57(1990),198;K.Horiuchi,T.Kawai,M.Kanaietal.,
4、Jpn.J.Appl.Phys.,30(1991),1381.I.Bozovicetal.,J.Supercon.,5(1992),19;J.N.Ecksteinetal.,Appl.Phys.Lett.,57(1990),931;J.N.Ecksteinetal.,ibid,57(1990),1049.Z.Z.Li,H.Rifi,A.Vauresetal.,Phys,Rev.Lett.,72(1994),4033.R.KleinerandP.Müeller,Phys.Rev.B,49(1994),1327.I.Bozovicetal.,J.Supercon.,7(1994),187;I.Bo
5、zovicetal.,PhysicaC,235-240(1994),178.I.BozovicandJ.N.Eckstein,preprint.H.S.Wang,Z.Q.Peng,O.Jinetal.,Proc.VthInt.M2SConf.,Beijing,February28—March4,(1997).789]]]10]11]12]13]14]15]16]17]致谢杨国桢教授、李林教授和陈正豪教授等对本文进行了评阅和指正,特此表示感谢.18]参考文献J.2M.Triscone,M.G.Karkut,L.Antognazzaetla.,Phys.Rev.Lett.,63(1989),101
6、6.J.2M.Triscone,Ø.Fischeretal.,Phys.Rev.Lett.,64(1990),804.Q.Li,X.X.Xi,X.D.Wuetal.,Phys.Rev.Lett.,64(1990),3086;X.D.Wu,X.X.Xi,Q.Lietal.,Appl.Phys.Lett.,56(1990),400.D.H.Lowndes,D.P.NortonandJ.D.Budai,Phys.Rev.Lett.,65(1990),1160.19]1]20]2]21]3]22]23]4]有机光折变材料的新进展3鲍信先李淳飞(哈尔滨工业大学应用物理系,哈尔滨150001)摘要有机光折
7、变材料是近几年新出现的光电功能材料.在各种光电子信息处理领域具有广泛的应用前景,如高密度光学数据存储、光学图像处理、相位共轭镜和激光器、动态全息、光计算和图形识别3国家自然科学基金资助项目1997年4月9日收到初稿,1997年5月12日修回26卷(1997年)10期·589·等.文章回顾了近几年中新兴的、有希望的光折变聚合物材料领域的最新进展及其在可重写全息信息存储中的应用.关键词光折变效应,有机
