深圳市富满电子集团股份有限公司

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1、1深圳市富满电子集团股份有限公司23SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.,LTD.2301（文件编号：S&CIC1241）18VP沟道增强型MOS场效应管VDS=-18VDRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.0A=60mΩ@TYPRDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-0.5A=82mΩ@TYP一、特点高级的加工技术极低的导通电阻高密度的单元设计SOT-23内部结构示意图InternalSchemaicDiagramSourceCGateDrainP-Ch

2、annelMOSFET二、最大额定值和热特性(TA=25℃，除非另有说明)参数符号值单位漏源电压VDS-18BV栅源电压VGS±12漏极电流ID-2.8A漏极脉冲电流IDM-6TA=25℃1.25最大功耗PDWTA=75℃0.8工作结温和存储温度范围TJ,Tstg-55to150℃结环热阻（PCB安装）RθJA140W/℃注：1、电流值取决于焊线的数量和线径。2、重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。A123第1页共2页深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUP

3、CO.,LTD.2301（文件编号：S&CIC1241）18VP沟道增强型MOS场效应管三、电特性参数符号测试条件最小典型最大单位静电漏源击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250uA-12-18--VRDS(on)VGS=-4.5V,ID=-1A--6085mΩ漏源电阻RDS(on)VGS=-2.5V,ID=-0.5A--82115mΩ栅极阈值电压VGS(th)VDS=VGS,ID=250uA-0.4-0.7-1.1V栅源短路时，漏极电流IDSSVDS=-12V,VGS=0V----1uA漏极短路时截止栅电

4、流IGSSVGS=±12V,IDS=0uA----±100nA动态总栅极电荷Qg------VDS=-6V,ID=-2.8A栅源电荷Qgs------nCVGS=-4.5V栅漏电荷Qgd------延迟时间（On）td(on)------VDD=-6V,RL=6Ω上升时间（On）tr------ID=-1A,VGEN=-4.5Vns延迟时间（Off）td(off)------RG=6Ω下降时间（Off）tf------输入电容Ciss------VDS=-6V,VGS=0V输出电容Coss------pFf=1

5、.0MHz反向传输电容Crss------漏源二极管二极管最大正向电流IS------1.6A二极管正向电压VSDIS=-1.6A,VGS=0V---0.75--V注：脉冲测试：脉冲宽度<=300us,占空比<=2%第2页共2页